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申请/专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日：2023-05-30
公开（公告）日：2025-01-17
公开（公告）号：CN119325749A
专利技术分类：
专利摘要：半导体装置200包括：衬底上的氧化物230；氧化物上的彼此隔开的第一导电体242a1及第二导电体242b1；与第一导电体的顶面的一部分接触的第三导电体242a2；与第二导电体的顶面的一部分接触的第四导电体242b2；配置在第三导电体及第四导电体上且具有重叠于第三导电体与第四导电体之间的区域的开口的第一绝缘体271a、271b；配置在第一绝缘体的开口内且与第一导电体的顶面的另一部分、第二导电体的顶面的另一部分、第三导电体的侧面及第四导电体的侧面接触的第二绝缘体255；配置在第一绝缘体的开口内且与氧化物的顶面、第一导电体的侧面、第二导电体的侧面及第二绝缘体的侧面接触的第三绝缘体250；以及在第一绝缘体的开口内配置在第三绝缘体上且具有隔着第三绝缘体与氧化物重叠的区域的第五导电体，其中，第一导电体与第二导电体之间的距离L2小于第三导电体与第四导电体之间的距离L1。
专利权项：1.一种半导体装置，包括：衬底上的氧化物；所述氧化物上的彼此隔开的第一导电体及第二导电体；与所述第一导电体的顶面的一部分接触的第三导电体；与所述第二导电体的顶面的一部分接触的第四导电体；配置在所述第三导电体及所述第四导电体上且具有重叠于所述第三导电体与所述第四导电体之间的区域的开口的第一绝缘体；配置在所述第一绝缘体的开口内且与所述第一导电体的顶面的另一部分、所述第二导电体的顶面的另一部分、所述第三导电体的侧面及所述第四导电体的侧面接触的第二绝缘体；配置在所述第一绝缘体的开口内且与所述氧化物的顶面、所述第一导电体的侧面、所述第二导电体的侧面及所述第二绝缘体的侧面接触的第三绝缘体；以及在所述第一绝缘体的开口内配置在所述第三绝缘体上且具有隔着所述第三绝缘体与所述氧化物重叠的区域的第五导电体，其中，所述第一导电体与所述第二导电体之间的距离小于所述第三导电体与所述第四导电体之间的距离。
百度查询： 株式会社半导体能源研究所 半导体装置、存储装置及半导体装置的制造方法
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