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申请/专利权人：上海晶玺电子科技有限公司
申请日：2014-09-30
公开（公告）日：2016-04-27
公开（公告）号：CN105529379A
专利技术分类：.专门适用于制造或处理这些器件或其部件的方法或设备[2006.01]
专利摘要：本发明公开了一种掺杂方法，包括以下步骤：在第一导电类型衬底的正面和背面形成绒面；通过热扩散工艺在第一导电类型衬底的正面中形成第一导电类型掺杂层和第一氧化层；在第一导电类型衬底的背面中扩散掺杂形成第二导电类型掺杂层，并在该第二导电类型掺杂层上形成第二氧化层；图形化该第二氧化层；蚀刻预定区域的第二导电类型掺杂层直至暴露出该第一导电类型衬底；在该凹槽的表面中形成第一导电类型掺杂区域。本发明利用了热扩散工艺中形成的氧化层作为掩膜，来实现后续离子注入的局部掺杂，由此，无需额外形成掩膜，整体工艺极为简单，连贯性很强。
专利权项：一种掺杂方法，其特征在于，其包括以下步骤：S1：在第一导电类型衬底的正面和背面形成绒面；S2：通过热扩散工艺在第一导电类型衬底的正面中形成第一导电类型掺杂层，并且在扩散掺杂过程中在该第一导电类型掺杂层上形成第一氧化层；S3：蚀刻该第一导电类型衬底的边缘并且抛光该第一导电类型衬底的背面；S4：在第一导电类型衬底的背面中扩散掺杂形成第二导电类型掺杂层，并且在扩散掺杂的过程中在该第二导电类型掺杂层上形成第二氧化层；S5：图形化该第二氧化层以暴露出预定区域的第二导电类型掺杂层；S6：蚀刻预定区域的第二导电类型掺杂层直至暴露出该第一导电类型衬底并由此在该第一导电类型衬底的背面中形成凹槽；S7：在该凹槽的表面中形成第一导电类型掺杂区域。
百度查询： 上海晶玺电子科技有限公司 掺杂方法
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