恭喜浙江力积存储科技有限公司裴晓平获国家专利权
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龙图腾网恭喜浙江力积存储科技有限公司申请的专利DRAM读写时序调整电路和DRAM获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119811448B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510252923.4，技术领域涉及：G11C11/409；该发明授权DRAM读写时序调整电路和DRAM是由裴晓平设计研发完成，并于2025-03-05向国家知识产权局提交的专利申请。
本DRAM读写时序调整电路和DRAM在说明书摘要公布了：本公开实施例提供的DRAM读写时序调整电路和DRAM，包括：测试模式控制信号生成模块、延时模块和调整模块；测试模式控制信号生成模块，获取与控制信号对应的测试编码信号，并在测试编码信号的目标编码位的编码值为预设编码值时，根据测试编码信号生成与控制信号对应的测试模式控制信号，控制信号为DRAM中使得读写时序出错的控制信号；延时模块，接收控制信号，并将控制信号延时预设时长后生成延时控制信号；调整模块，根据测试模式控制信号、控制信号和延时控制信号，生成目标控制信号，目标控制信号的脉冲宽度大于或小于控制信号的脉冲宽度。使得DRAM读写过程的时序满足规定的时序，避免存储单元的读写数据出错。
本发明授权DRAM读写时序调整电路和DRAM在权利要求书中公布了：1.一种DRAM读写时序调整电路，其特征在于，包括：测试模式控制信号生成模块、延时模块和调整模块； 所述测试模式控制信号生成模块，被配置为获取与控制信号对应的测试编码信号，并在所述测试编码信号的目标编码位的编码值为预设编码值时，根据所述测试编码信号生成与所述控制信号对应的测试模式控制信号，所述控制信号为DRAM中使得读写时序出错的控制信号； 所述延时模块，被配置为接收控制信号，并将所述控制信号延时预设时长后生成延时控制信号； 所述调整模块，配置为根据所述测试模式控制信号、所述控制信号和所述延时控制信号，生成目标控制信号，所述目标控制信号的脉冲宽度大于或小于所述控制信号的脉冲宽度。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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