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龙图腾网恭喜南京大学申请的专利一种基于浮栅的2T1C全局快门像素结构及工作方式获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119767164B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510263577.X，技术领域涉及：H04N25/532；该发明授权一种基于浮栅的2T1C全局快门像素结构及工作方式是由沈凡翔;常峻淞;李张南;王凯;闫锋设计研发完成，并于2025-03-06向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种基于浮栅的2T1C全局快门像素结构及工作方式在说明书摘要公布了：本发明公开了一种基于浮栅的2T1C全局快门像素结构及工作方式，属于图像传感器领域。所述方法包括：通过采用将全局快门开关管设置在信号收集区上方，不额外占据光电信号收集区的占比，保证了在不损耗光电信号收集区的占比的条件下增加了全局快门的功能；并且本发明所提出的像素结构简约，快门效率高；在高分辨率应用场景中像素尺寸缩小并且不牺牲像素性能的前提下，实现了小尺寸像素单元上的全局快门功能。

本发明授权一种基于浮栅的2T1C全局快门像素结构及工作方式在权利要求书中公布了：1.一种基于浮栅的2T1C全局快门像素结构，其特征在于，所述基于浮栅的2T1C全局快门像素结构包括形成在同一半导体衬底（201）上的浮栅电容器（101）、信号收集区（102）、浮栅晶体管（103）、全局快门开关管（104）和浅槽隔离结构（203）； 所述浮栅电容器（101）、全局快门开关管（104）和浮栅晶体管（103）依次排列在半导体衬底（201）上，所述信号收集区（102）位于浮栅电容器（101）和全局快门开关管（104）的下方；所述浅槽隔离结构（203）也位于全局快门开关管（104）下方； 所述浮栅电容器（101）用于光电信号的收集，包括依次设置在所述半导体衬底（201）上方的电容器介质层（101a）和电容器栅极（101b），所述电容器介质层（101a）的下方半导体衬底（201）区域为信号收集区（102）； 所述浮栅晶体管（103）用于光电信号的读出，包括晶体管源极（103a）、晶体管漏极（103b）以及依次设置在所述半导体衬底（201）上方的晶体管底层介质层（103c）、晶体管浮栅（103d）、晶体管顶层介质层（103e）和晶体管顶层栅（103f）； 所述浅槽隔离结构（203）位于所述浮栅电容器（101）与所述浮栅晶体管（103）之间的下方衬底范围内，将衬底靠近上表面的区域分隔开，用于避免所述浮栅电容器（101）下方收集的光电信号通过所述浮栅晶体管源极（103a）或晶体管漏极（103b）流失； 所述全局快门开关管（104），用于实现器件级全局快门的作用，所述全局快门开关管（104）包括依次设置在所述半导体衬底（201）上方的开关管底层介质层（202a）、开关管体区（202b）、开关管顶层介质层（202c）和开关管栅极（202d）； 所述开关管体区（202b）一端与所述电容器栅极（101b）相连，另一端与所述晶体管浮栅（103d）相连，三者均处于电学浮空状态，不与外部电压接口相连；所述电容器栅极（101b）与所述晶体管浮栅（103d）不直接相连；所述电容器栅极（101b）与所述晶体管顶层栅（103f）互不相连；所述晶体管源极（103a）、晶体管漏极（103b）、晶体管顶层栅（103f）、开关管栅极（202d）、半导体衬底（201）分别与不同对外电压接口相连。

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