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龙图腾网恭喜合肥晶合集成电路股份有限公司申请的专利半导体器件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119855197B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510329859.5，技术领域涉及：H10D30/65；该发明授权半导体器件及其制备方法是由王仲盛;王文智设计研发完成，并于2025-03-20向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体器件及其制备方法在说明书摘要公布了：本公开提供了一种半导体器件及其制备方法，所述器件包括：衬底，所述衬底内包括间隔的源区和漏区；所述衬底顶面包括位于所述源区和所述漏区之间的栅极结构，所述栅极结构包括沿背离所述衬底的第一方向依次堆叠的栅介电层、复合功函数层和栅极材料层，所述复合功函数层至少包括沿平行于所述衬底的第二方向排布且功函数值不同的第一功函数调节结构、第二功函数调节结构；其中，所述第一功函数调节结构和所述第二功函数调节结构分别包括沿所述第一方向叠层数不同的功函数材料叠层结构。通过使复合功函数层在横向方向的不同区域具有不同的功函数值，以使半导体器件在横向方向上抵御电场的强度不同，提升半导体器件的击穿电压。

本发明授权半导体器件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，其特征在于，包括： 衬底，所述衬底内包括间隔的源区和漏区； 所述衬底顶面包括位于所述源区和所述漏区之间的栅极结构，所述栅极结构包括沿背离所述衬底的第一方向依次堆叠的栅介电层、复合功函数层和栅极材料层，所述复合功函数层包括P型功函数部分和N型功函数部分，所述复合功函数层至少包括沿平行于所述衬底的第二方向排布且功函数值不同的第一功函数调节结构、第二功函数调节结构，所述P型功函数部分包括所述第一功函数调节结构，所述N型功函数部分包括所述第二功函数调节结构； 其中，所述第一功函数调节结构和所述第二功函数调节结构分别包括沿所述第一方向叠层数不同的功函数材料叠层结构，在所述第一方向的同一高度处，所述第一功函数调节结构和所述第二功函数调节结构的功函数材料不同。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人合肥晶合集成电路股份有限公司，其通讯地址为：230012 安徽省合肥市新站区合肥综合保税区内西淝河路88号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。