恭喜上海维安半导体有限公司郝壮壮获国家专利权
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龙图腾网恭喜上海维安半导体有限公司申请的专利一种具有温度补偿的阻断型浪涌保护器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119891130B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510369106.7，技术领域涉及：H02H9/04；该发明授权一种具有温度补偿的阻断型浪涌保护器是由郝壮壮;赵德益;张伟;蒋骞苑;崔石焦;严林;高小丽;彭阳;马玉;郑彩霞设计研发完成，并于2025-03-27向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种具有温度补偿的阻断型浪涌保护器在说明书摘要公布了：本发明提供一种具有温度补偿的阻断型浪涌保护器，涉及电路保护技术领域，包括：双向浪涌保护电路串联接入在两个被保护器件之间；温度补偿单元在产生瞬态电压时根据温度变化将采集到的电压信号调整至与增强型NMOS管的阈值电压匹配以实现导通，进而控制连接被保护器件的耗尽型NMOS管关断实现浪涌阻断保护。有益效果是通过引入温度补偿单元，本发明保护器能够根据温度变化调整电压信号，使其与增强型NMOS管的阈值电压匹配，从而保持触发电流的稳定。即使在极端温度下，触发电流也能保持在常温基准电流附近，在不同温度下都能保持稳定的触发电流，大大减小了因温度变化导致的波动，从而确保了浪涌防护效果的可靠性和一致性。
本发明授权一种具有温度补偿的阻断型浪涌保护器在权利要求书中公布了：1.一种具有温度补偿的阻断型浪涌保护器，其特征在于，包括： 双向浪涌保护电路，所述双向浪涌保护电路的双向接线端串联接入在两个被保护器件之间； 温度补偿单元，所述温度补偿单元的信号采集端并联在所述双向浪涌保护电路的电流反馈场效应管的源极和漏极，所述温度补偿单元的导通控制端连接所述双向浪涌保护电路中的增强型NMOS管的栅极，用于在产生瞬态电压时根据温度变化将采集到的电压信号调整至与所述增强型NMOS管的阈值电压匹配以实现导通，进而控制连接所述被保护器件的耗尽型NMOS管关断实现浪涌阻断保护。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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