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龙图腾网恭喜深圳平湖实验室申请的专利半导体器件、其制备方法及电子设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119894011B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510377782.9，技术领域涉及：H10D8/00；该发明授权半导体器件、其制备方法及电子设备是由夏云;陈刚;周紫薇;刘玮;胡浩林;王晓萍设计研发完成，并于2025-03-28向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体器件、其制备方法及电子设备在说明书摘要公布了：本公开的半导体器件、其制备方法及电子设备，包括：N+衬底；第一N‑缓冲层，位于N+衬底之上、并与第一N‑缓冲层接触；N‑漂移层，位于第一N‑缓冲层远离N+衬底的一侧；P‑阱层，在N‑漂移层远离N+衬底的一侧嵌入N‑漂移层；P+阴极，在P‑阱层远离N+衬底的一侧与P‑阱层接触；P‑层，位于N‑漂移层与第一N‑缓冲层之间，且P‑层与第一N‑缓冲层接触。

本发明授权半导体器件、其制备方法及电子设备在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，其特征在于，包括： N+衬底； 第一N-缓冲层，位于所述N+衬底之上、并与所述N+衬底接触； N-漂移层，位于所述第一N-缓冲层远离所述N+衬底的一侧； P-阱层，在所述N-漂移层远离所述N+衬底的一侧嵌入所述N-漂移层； P+阴极，在所述P-阱层远离所述N+衬底的一侧与所述P-阱层接触； P-层，位于所述N-漂移层与所述第一N-缓冲层之间，且所述P-层与所述第一N-缓冲层接触； 还包括第二N-缓冲层、P+阳极、阳极导电层、沟槽和阳极介质层，其中，第二N-缓冲层在所述N-漂移层靠近所述N+衬底的一侧与所述N-漂移层接触，所述P+阳极在所述第二N-缓冲层靠近所述N+衬底的一侧嵌入所述第二N-缓冲层，所述沟槽贯穿所述N+衬底、所述第一N-缓冲层和所述P-层、并延伸至所述P+阳极的下表面所在平面，所述阳极导电层在所述沟槽内与所述P+阳极直接接触且与所述沟槽的侧壁间隔设置，所述阳极介质层填充所述阳极导电层与所述沟槽侧壁之间的间隙。

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