恭喜天津工业大学宁平凡获国家专利权
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龙图腾网恭喜天津工业大学申请的专利一种大尺寸半导体薄膜雾化学气相沉积装置及方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119932707B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510428479.7，技术领域涉及：H01L21/02；该发明授权一种大尺寸半导体薄膜雾化学气相沉积装置及方法是由宁平凡;李雄杰;牛萍娟;姜勇设计研发完成，并于2025-04-08向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种大尺寸半导体薄膜雾化学气相沉积装置及方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种大尺寸半导体薄膜雾化学气相沉积装置及方法，该装置在反应器内设置缓冲莲蓬头，通过对缓冲莲蓬头的结构进行设计，可以实现各种晶型的大尺寸、厚度均匀的氧化镓薄膜外延生长。
本发明授权一种大尺寸半导体薄膜雾化学气相沉积装置及方法在权利要求书中公布了：1.一种大尺寸半导体薄膜雾化学气相沉积装置，其特征在于：包括雾化单元、反应器、缓冲莲蓬头和旋转基座； 缓冲莲蓬头设置在反应器内，缓冲莲蓬头包括自左向右依次连接的输送管、锥形过渡段和圆柱段，输送管从反应器的一端穿出并与雾化单元连接，雾化单元还设有载气输入口；圆柱段内自左向右依次设有第一缓冲板和第二缓冲板，第一缓冲板和第二缓冲板将圆柱段分成3部分，从左至右依次是第一缓冲区域、第二缓冲区域和镀膜区域；第一缓冲板为圆锥形板结构，圆锥形板结构的锥顶远离第二缓冲板，第一缓冲板上设有若干垂直于第二缓冲板的直孔，第二缓冲板上设有若干斜孔；镀膜区域设有正对第二缓冲板的旋转基座，衬底固定在旋转基座上，衬底被镀膜区域的圆柱段包围，旋转基座由设置在反应器外的第一电机驱动转动，第一电机安装在移动单元上，移动单元带动第一电机和旋转基座向靠近或远离第二缓冲板的方向移动； 直孔的直径为2-10mm，每相邻2个直孔之间的距离为2-5mm；斜孔的直径为2-10mm； 直孔的直径与斜孔的直径相等； 斜孔与直孔的数目相等且一一对应； 斜孔的中轴线与第二缓冲板的表面法线之间的夹角为30-70°。
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