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龙图腾网恭喜上海积塔半导体有限公司申请的专利半导体器件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119967864B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510443713.3，技术领域涉及：H10D30/65；该发明授权半导体器件及其制备方法是由胡林辉;孙瑞康;王帅;王珊珊;仇峰设计研发完成，并于2025-04-10向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体器件及其制备方法在说明书摘要公布了：本申请涉及一种半导体器件及其制备方法，该半导体器件包括：衬底内包括阱区、漂移区、漏区及源区，漂移区位于阱区内，漏区位于漂移区内，漏区的外侧壁包括沿第二方向分布的两个第一侧壁和沿第一方向分布的两个第二侧壁；源区位于第一侧壁一侧的阱区内；浅沟槽隔离结构部分位于漂移区内并环绕漏区的第一侧壁和第二侧壁，且还沿第二方向延伸至阱区的内侧壁；漏区的靠近源区的第一侧壁和浅沟槽隔离结构的靠近源区的外侧壁之间沿第一方向的尺寸为一目标宽度，漏区的第二侧壁和漂移区的内侧壁之间沿第二方向的尺寸为一目标长度；目标宽度与目标长度之比位于目标范围内，目标范围关联于半导体器件的目标耐压值。本申请提升了半导体器件的耐压。

本发明授权半导体器件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，其特征在于，包括：衬底、浅沟槽隔离结构及栅极结构； 所述衬底内包括阱区、漂移区、漏区及源区，所述漂移区位于所述阱区内，所述漏区位于所述漂移区内，所述漏区的外侧壁包括沿第二方向分布的两个第一侧壁和沿第一方向分布的两个第二侧壁，所述第一方向和所述第二方向均平行于所述衬底的顶面，且所述第一方向与所述第二方向相交； 所述源区位于一所述第一侧壁一侧的阱区内； 所述浅沟槽隔离结构部分位于所述漂移区内并环绕所述漏区的第一侧壁和第二侧壁，其中，位于所述第二侧壁外侧的浅沟槽隔离结构还沿所述第二方向延伸至所述阱区的内侧壁； 所述栅极结构沿所述第一方向横跨覆盖部分所述阱区、所述漂移区和所述浅沟槽隔离结构； 其中，所述漏区的靠近所述源区的第一侧壁和所述浅沟槽隔离结构的靠近所述源区的外侧壁之间沿所述第一方向的尺寸为一目标宽度，所述漏区的第二侧壁和所述漂移区的内侧壁之间沿所述第二方向的尺寸为一目标长度；所述目标宽度与所述目标长度之比位于目标范围内，所述目标范围关联于所述半导体器件的目标耐压值，所述目标范围关联于所述半导体器件的目标耐压值包括：所述目标宽度与所述目标长度之比位于所述目标范围内时，使得叠加击穿电压的位置从所述漂移区的第一位置移动到所述漂移区的第二位置，所述第二位置的目标耐压值大于所述第一位置的目标耐压值；所述叠加击穿电压为所述源区和所述漏区之间的沿第一方向的横向击穿电压，与所述漏区与所述衬底之间的沿第二方向的纵向击穿电压的叠加。

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