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龙图腾网恭喜深圳市晶扬电子有限公司申请的专利一种低容值静电保护器件及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119997525B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510459320.1，技术领域涉及：H10D8/20；该发明授权一种低容值静电保护器件及其制造方法是由杜飞波;高东兴设计研发完成，并于2025-04-14向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种低容值静电保护器件及其制造方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种低容值静电保护器件及其制造方法，包括N型重掺杂衬底、第一层P型外延层和第二层P型外延层，第一层P型外延层的电阻率为高阻，第一层P型外延层和第二层P型外延层内设有相适配的N型反型层、隔离深沟槽和P型重掺杂埋层，N型反型层被P型重掺杂埋层分割，P型重掺杂埋层被隔离深沟槽分割的内侧部分长度为W1，W1＞N型反型层的厚度，P型重掺杂埋层、第一层P型外延层、N型重掺杂衬底构成一个PIN二极管，H为P型重掺杂埋层与N型重掺杂衬底之间的间距，PIN二极管的击穿电压能够随H的调整而变化。本发明的有益效果为：能够实现具有超低寄生电容且击穿电压可调的静电保护器件。

本发明授权一种低容值静电保护器件及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种低容值静电保护器件，其特征在于：包括N型重掺杂衬底和从下而上设置在所述N型重掺杂衬底内的第一层P型外延层和第二层P型外延层，所述第一层P型外延层的电阻率为高阻，所述第一层P型外延层和所述第二层P型外延层内设有相适配的N型反型层和隔离深沟槽，所述第一层P型外延层和所述第二层P型外延层之间还设有P型重掺杂埋层，所述N型反型层被所述P型重掺杂埋层分割为第一N型反型层和第二N型反型层，所述P型重掺杂埋层被所述隔离深沟槽分割为两个部分，所述P型重掺杂埋层被所述隔离深沟槽分割的内侧部分长度为W1，W1＞所述N型反型层的厚度，所述N型重掺杂衬底下表面能够与IO端口一相连，所述第二层P型外延层上表面设有能够与IO端口二相连的P+重掺杂有源区，所述P型重掺杂埋层、所述第一层P型外延层、所述N型重掺杂衬底共同构成一个PIN二极管，所述第一层P型外延层的有效厚度H为所述P型重掺杂埋层与所述N型重掺杂衬底之间的间距，所述PIN二极管的击穿电压能够随所述第一层P型外延层的有效厚度H调整而变化，高阻值的所述第一层P型外延层和所述第二N型反型层能够降低整个静电保护器件的容值。

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