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龙图腾网恭喜朗姆研究公司申请的专利使用牺牲层的半导体掩模再成形获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113728414B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202080030905.7，技术领域涉及：H01L21/033；该发明授权使用牺牲层的半导体掩模再成形是由谭忠魁;苏晓峰;向华;秦策设计研发完成，并于2020-02-26向国家知识产权局提交的专利申请。

本使用牺牲层的半导体掩模再成形在说明书摘要公布了：本文提供了用于在蚀刻处理中进行掩模重构的方法和相关设备。所述方法涉及在掩模层上沉积牺牲层。牺牲层可用于通过抑制掩模层的蚀刻或在其上的沉积而在再成形期间保护掩模层的部分。在掩模再成形处理之后，可利用与用于蚀刻目标材料相同的蚀刻处理以移除牺牲层。

本发明授权使用牺牲层的半导体掩模再成形在权利要求书中公布了：1.一种在目标层的蚀刻处理期间使掩模层再成形的方法，其包含： 提供衬底至处理室，所述衬底包含设置于待蚀刻的目标层上的图案化掩模层，所述目标层包含第一材料，所述第一材料相对于第一蚀刻化学品具有第一蚀刻速率，且所述图案化掩模层包含第二材料，所述第二材料相对于所述第一蚀刻化学品具有第二蚀刻速率，其中所述第一蚀刻速率高于所述第二蚀刻速率； 在所述图案化掩模层的部分上沉积牺牲层，所述牺牲层包含第三材料，所述第三材料相对于所述第一蚀刻化学品具有第三蚀刻速率，所述第三蚀刻速率高于所述第二蚀刻速率；以及 利用第二蚀刻化学品对所述图案化掩模层进行蚀刻，其中所述牺牲层抑制对被所述牺牲层覆盖的所述图案化掩模层的所述部分的蚀刻， 其中，第一材料、第二材料和第三材料选自以下组合之一： 所述第二材料为基于SiO2或基于SiN的材料，且所述第一材料和所述第三材料为基于硅的材料； 所述第二材料为基于SiON的材料，且所述第一材料和所述第三材料为基于碳的材料； 所述第二材料为基于碳的材料，且所述第一材料和所述第三材料为基于SiO2或基于SiON的材料； 所述第二材料为基于硅的材料，且所述第一材料和所述第三材料为基于SiO2或基于SiN的材料；或者 所述第二材料为基于SiO2的材料或基于SiN的材料，并且所述第一材料和第三材料为基于钨的材料。

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