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龙图腾网恭喜宁波大学申请的专利基于锥形亚微米光栅-槽波导的中红外气体传感器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115201136B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210621443.7，技术领域涉及：G01N21/3504；该发明授权基于锥形亚微米光栅-槽波导的中红外气体传感器是由陈伟伟;王栎沣;汪鹏君;张东;李燕设计研发完成，并于2022-06-02向国家知识产权局提交的专利申请。

本基于锥形亚微米光栅-槽波导的中红外气体传感器在说明书摘要公布了：本发明公开了一种基于锥形亚微米光栅‑槽波导的中红外气体传感器，包括下包层、第一锥形光栅阵列和第二锥形光栅阵列，第一锥形光栅阵列和第二锥形光栅阵列设置在下包层的上表面上，第一锥形光栅阵列位于第二锥形光栅阵列的前侧，第一锥形光栅阵列由5566个完全相同的第一芯层波导按照从左到右顺序均匀间隔分布形成，第二锥形光栅阵列由5566个完全相同的第二芯层波导按照从左到右顺序均匀间隔分布形成，第一芯层波导和第二芯层波导均为锥形波导，第一芯层波导和第二芯层波导的上侧面及下侧面均为等腰梯形；优点是具有较高的灵敏度、较低的检测阈值、较快的响应时间。

本发明授权基于锥形亚微米光栅-槽波导的中红外气体传感器在权利要求书中公布了：1.一种基于锥形亚微米光栅-槽波导的中红外气体传感器，其特征在于包括下包层、第一锥形光栅阵列和第二锥形光栅阵列，所述的下包层为长方体型波导，材料为氟化钙，所述的下包层的长度方向沿左右方向，宽度方向沿前后方向，厚度方向沿上下方向，所述的下包层的厚度大于等于6µm，所述的第一锥形光栅阵列和所述的第二锥形光栅阵列设置在所述的下包层的上表面上，所述的第一锥形光栅阵列位于所述的第二锥形光栅阵列的前侧； 所述的第一锥形光栅阵列由m个完全相同的第一芯层波导按照从左到右顺序均匀间隔分布形成，m的取值为5566，所述的第一芯层波导为锥形波导，材料为硅，所述的第一芯层波导的前端面为长方形，所述的第一芯层波导的前端面的长边沿左右方向，宽边沿上下方向，所述的第一芯层波导的前端面的长边长度为784nm，所述的第一芯层波导的前端面的宽边宽度为6µm，所述的第一芯层波导的后端面的长边沿左右方向，宽边沿上下方向，所述的第一芯层波导的后端面的长边长度为980nm，所述的第一芯层波导的后端面的宽边宽度为6µm，所述的第一芯层波导具有四个侧面，所述的第一芯层波导的前端面和所述的第一芯层波导的后端面之间的距离为1.6µm，所述的第一芯层波导的上侧面和下侧面均为上底为784nm、下底为980nm、高为1.6µm的等腰梯形，所述的第一芯层波导的左侧面和右侧面均长方形，所述的第一芯层波导的左侧面和右侧面的宽边方向沿上下方向，所述的第一芯层波导左侧面和右侧面的的宽边宽度均为6µm，所述的第一芯层波导的左侧面的两条长边与所述的第一芯层波导的上侧面位于左边的一条腰和所述的第一芯层波导的下侧面位于左边的一条腰一一对应重合，所述的第一芯层波导的右侧面的两条长边与所述的第一芯层波导的上侧面位于右边的一条腰和所述的第一芯层波导的下侧面位于右边的一条腰一一对应重合，m个第一芯层波导的前端面位于同一平面，m个第一芯层波导的后端面位于同一平面，m个第一芯层波导的前端面所在平面平行于所述的下包层的前端面，m个第一芯层波导中，位于最左端的第一芯层波导的左右对称面与所述的下包层的左端面之间的距离大于等于980nm，位于最右端的第一芯层波导的左右对称面与所述的下包层的右端面之间的距离大于等于980nm，相邻两个第一芯层波导的左右对称面之间的距离为1960nm； 所述的第二锥形光栅阵列由m个完全相同的第二芯层波导按照从左到右顺序均匀间隔分布形成，m的取值为5566，所述的第二芯层波导为锥形波导，材料为硅，所述的第二芯层波导的后端面为长方形，所述的第二芯层波导的后端面的长边沿左右方向，宽边沿上下方向，所述的第二芯层波导的后端面的长边长度为784nm，所述的第二芯层波导的后端面的宽边宽度为6µm，所述的第二芯层波导的前端面的长边沿左右方向，宽边沿上下方向，所述的第二芯层波导的前端面的长边长度为980nm，所述的第二芯层波导的前端面的宽边宽度为6µm，所述的第二芯层波导的前端面和所述的第二芯层波导的后端面之间的距离为1.6µm，所述的第二芯层波导具有四个侧面，所述的第二芯层波导的上侧面和下侧面均为上底为784nm、下底为980nm、高为1.6µm的等腰梯形，所述的第二芯层波导的左侧面和右侧面均长方形，所述的第二芯层波导的左侧面和右侧面的宽边方向沿上下方向，所述的第二芯层波导左侧面和右侧面的的宽边宽度均为6µm，所述的第二芯层波导的左侧面的两条长边与所述的第二芯层波导的上侧面位于左边的一条腰和所述的第二芯层波导的下侧面位于左边的一条腰一一对应重合，m个第二芯层波导的前端面位于同一平面，m个第二芯层波导的后端面位于同一平面，m个第二芯层波导的后端面所在平面平行于所述的下包层的后端面，m个第二芯层波导中，位于最左端的第二芯层波导的左右对称面与所述的下包层的左端面之间的距离大于等于980nm，位于最右端的第二芯层波导的左右对称面与所述的下包层的右端面之间的距离大于等于980nm，相邻两个第二芯层波导的左右对称面之间的距离为1960nm； m个第二芯层波导的前端面所在平面与m个第一芯层波导的后端面所在平面之间的距离为120nm；m个第一芯层波导的前端面所在平面与所述的下包层的前端面之间的距离等于m个第二芯层波导的后端面所在平面与所述的下包层的后端面之间的距离，且m个第一芯层波导的前端面所在平面与所述的下包层的前端面之间的距离大于等于11.55µm。

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