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龙图腾网恭喜北京燕东微电子科技有限公司申请的专利一种晶圆清洗方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116274104B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211088034.1，技术领域涉及：B08B3/04；该发明授权一种晶圆清洗方法是由张然;张娟辉;李彩凤;刘晓荣;张玉珏设计研发完成，并于2022-09-07向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种晶圆清洗方法在说明书摘要公布了：本申请公开一种晶圆清洗方法。一实施例的晶圆清洗方法包括：对晶圆进行第一腐蚀；对晶圆利用第一中心口和第一辅助口进行溢流注水，第一中心口的注水流速为第一流速，第一辅助口的注水流速为第二流速；对晶圆进行第二腐蚀；利用第二中心口和第二辅助口进行溢流注水，第二中心口的注水流速为第三流速，第二辅助口的注水流速为第四流速；在冲洗腔内，自槽体底部的注水口以第五流速进行注水进行第三次清洗，直至水电阻率达到工艺要求；以及对晶圆进行干燥处理，第一、第二、第三以及第四流速为5Lmin～22Lmin，第五流速为20Lmin～30Lmin，第三次清洗时间为150s～1000s。该清洗方法能够避免深宽比大的沟槽内水膜置换不良导致的水痕，进而提高产品良率。

本发明授权一种晶圆清洗方法在权利要求书中公布了：1.一种晶圆清洗方法，其特征在于，包括： 在第一腐蚀腔内利用第一氢氟酸水溶液对晶圆表面的氧化膜进行第一腐蚀； 在第一溢流腔内利用第一中心口和多个第一辅助口进行溢流注水，以对第一腐蚀后的晶圆进行第一次溢流清洗，所述第一中心口位于第一溢流腔槽体底部中心，注水流速为第一流速，所述多个第一辅助口围绕所述第一中心口，注水流速为第二流速； 在第二腐蚀腔内利用第二氢氟酸水溶液对第一次溢流清洗后的晶圆进行第二腐蚀，以去除晶圆表面的氧化膜； 在第二溢流腔内利用第二中心口和多个第二辅助口进行溢流注水，以对第二腐蚀后的晶圆进行第二次溢流清洗，所述第二中心口位于第二溢流腔槽体底部中心，注水流速为第三流速，所述多个第二辅助口围绕所述第二中心口，注水流速为第四流速； 在冲洗腔内，自槽体底部的注水口以第五流速进行注水，以进行第三次清洗，直至水电阻率达到工艺要求；以及 在干燥腔内对第三次清洗后的晶圆进行干燥处理以完成晶圆清洗， 其中，所述第一至第四流速为5Lmin～22Lmin，所述第五流速为20Lmin～30Lmin，所述第三次清洗时间为150s～1000s。

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