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龙图腾网恭喜建滔电子材料(江阴)有限公司申请的专利一种不易漏电起痕的覆铜板及其制备工艺获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115923267B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211418321.4，技术领域涉及：B32B17/02；该发明授权一种不易漏电起痕的覆铜板及其制备工艺是由周培峰设计研发完成，并于2022-11-14向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种不易漏电起痕的覆铜板及其制备工艺在说明书摘要公布了：本发明公开了一种不易漏电起痕的覆铜板及其制备工艺，涉及覆铜板技术领域。本发明在制备不易漏电起痕的覆铜板时，先将碳化硅晶须依次和正硅酸乙酯、三甲氧基硅烷反应制得预改性碳化硅晶须，将预改性碳化硅晶须依次和三烯丙基硅烷、三乙氧基硅烷反应制得改性碳化硅晶须；将KBJS‑600A70树脂、四官能环氧树脂、双氰胺、偶联剂、改性碳化硅晶须、N,N‑二甲基甲酰胺混合制得一段料；将KBJS‑600A70树脂、2‑甲基咪唑、氢氧化铝、过硫酸铵混合制得二段料，将一段料搅拌、剪切、研磨后加热二段料再次搅拌、剪切、研磨制得胶液，用胶液对玻璃布浸渍后烘烤，再和铜箔叠配压合制得不易漏电起痕的覆铜板。本发明制备的不易漏电起痕的覆铜板具有优良的耐剥离性能且不易漏电起痕。

本发明授权一种不易漏电起痕的覆铜板及其制备工艺在权利要求书中公布了：1.一种不易漏电起痕的覆铜板的制备工艺，其特征在于，所述不易漏电起痕的覆铜板的制备工艺包括以下制备步骤： （1）改性碳化硅晶须的制备：将碳化硅晶须和纯水按质量比1：50~1：60混合均匀，在10~30℃，200~300rmin搅拌20~30min，保持搅拌速度不变以0.1~0.2mLs的速度滴加碳化硅晶须质量15~20倍的正硅酸乙酯溶液，滴定结束后继续搅拌20~30min，在50~70℃，30~40kHz超声6~8h，过滤并依次用纯水和无水乙醇各洗涤3~5次，在60~70℃干燥4~6h，再和三甲氧基硅烷、纯水和无水乙醇按质量比1：1：10：10~2：1：15：15混合均匀，在50~60℃，30~40kHz超声6~8h，过滤并依次用纯水和无水乙醇各洗涤3~5次，在90~100℃干燥4~6h，制得预改性碳化硅晶须；将预改性碳化硅晶须、三烯丙基硅烷、正己烷按质量比1：1：5~1：1：8混合均匀，再加入三烯丙基硅烷质量0.03~0.05倍的氯铂酸，在70~80℃，500~800rmin搅拌回流4~6h，再加入三烯丙基硅烷质量3~4倍的三乙氧基硅烷，继续搅拌回流4~6h，在20~30℃，1~2kPa静置3~4h，制得改性碳化硅晶须； （2）混合并剪切研磨：将KBJS-600A70树脂、四官能环氧树脂、双氰胺、偶联剂、改性碳化硅晶须、N,N-二甲基甲酰胺按质量比20：1：3：0.05：11：12~25：1：4：0.07：13：14混合均匀配制成一段料；将KBJS-600A70树脂、2-甲基咪唑、氢氧化铝、过硫酸铵按质量比11：0.01：3：0.4~13：0.01：4：0.6混合均匀配制成二段料；将一段料在30~40℃，1200~1600rmin搅拌2~3h，继续搅拌并依次进行剪切、研磨，再加入将一段料质量0.9~1.1倍的二段料，在30~40℃，1200~1600rmin搅拌2~3h，继续搅拌并依次进行剪切、研磨，制得胶液； （3）压合：将玻璃布浸没在胶液中，在40~50℃，30~40kHz超声20~30min，取出并在80~90℃干燥4~5h，再次浸没在胶液中，在40~50℃静置30~40min，取出在80~90℃干燥4~5h，再通过立式干燥机烘烤，烘烤温度190~210℃，烘烤时间2~3min，制得半固化片，再与厚度为50μm的铜箔叠配进行压合，升温速率8~10℃min，压合温度230~240℃，压合压力2.7~2.9MPa，真空值为18~20Torr，压合时间130~150min，冷却至室温得到不易漏电起痕的覆铜板。

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