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龙图腾网恭喜中国电子科技集团公司第二十六研究所申请的专利一种高灵敏度、抗冲击微半球陀螺电极结构及制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115752410B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211517923.5，技术领域涉及：G01C19/5656；该发明授权一种高灵敏度、抗冲击微半球陀螺电极结构及制作方法是由杨峰;梅松;卢昱瑾;贺韵祺;卜继军;林丙涛;周仁侨;廖恒;王旭东设计研发完成，并于2022-11-30向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种高灵敏度、抗冲击微半球陀螺电极结构及制作方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种高灵敏度、抗冲击微半球陀螺电极结构及制作方法，所述电极结构分为上下两层，下层为平面电极，上层是通过工艺方法制作的异形平面电极，整体呈圆孔和圆槽组合的形状，上下两层电极均是敏感谐振壳体边缘的面外运动。所述方法包括在晶圆上采用镀膜、光刻工艺实现电极的图形化后，获得下层电极；通过精密微组装，将制备的谐振壳体与下层电极进行固定；采用刻蚀或微加工工艺在晶圆上制造出上电极形状，通过镀膜、喷胶、多次光刻等工艺实现上电极对应区域的图形化；采用治具将上电极与固定了谐振壳体的下电极进行装配并固定。本发明中的电极形式提高了微半球陀螺的灵敏度，同时可以对谐振壳体的运动进行限位，起到提升陀螺环境适应性。

本发明授权一种高灵敏度、抗冲击微半球陀螺电极结构及制作方法在权利要求书中公布了：1.一种高灵敏度、抗冲击微半球陀螺电极结构，其特征在于：所述电极结构适用于唇沿带有灵敏度放大结构的微半球谐振壳体，所述微半球陀螺电极结构包括上电极和下电极；所述上电极为异形平面电极结构，所述上电极包括多个上电极图形，且每个上电极图形在圆周上呈对称分布；所述上电极的下表面为装配基准面；所述上电极包括圆环和圆槽组合结构，所述圆环和所述圆槽在水平方向同心、在垂直方向呈上下关系；所述圆环为镂空状，所述圆环内径略大于微半球谐振壳体唇沿处的外径，所述圆环底面作为平板电容的上极板；所述圆槽直径略大于微半球谐振壳体的外径，所述圆槽底面即为所述上电极的下表面；所述下电极为平面电极结构，所述下电极的上表面作为平板电容的下极板，所述下电极的上表面包括多个下电极图形，且各个下电极图形呈圆周分布；所述上电极与所述下电极之间通过所述装配基准面装配连接。

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