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龙图腾网恭喜西安交通大学申请的专利一种基于双绕组折叠PCB结构的EMI滤波器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115172020B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-20发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210810555.7，技术领域涉及：H01F27/28；该发明授权一种基于双绕组折叠PCB结构的EMI滤波器是由任鹏远;陈文洁;陈钰宣;黄兴伟;童道心;周永兴;王云;苏鼎;孟鑫设计研发完成，并于2022-07-11向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种基于双绕组折叠PCB结构的EMI滤波器在说明书摘要公布了：本发明公开了一种基于双绕组折叠PCB结构的EMI滤波器，包括磁芯、共模耦合绕组和端接结构；共模耦合绕组为采用基于FR4基板的PCB绕组结构，所述PCB绕组结构设置在上下磁轭之间及边柱的全封闭结构内，且中柱穿过所述PCB绕组结构的中心孔；所述PCB绕组结构包括若干垂直堆叠的双绕组折叠PCB结构，双绕组折叠PCB结构是将8字形双绕组沿对折线180°折叠形成垂直堆叠结构的平面共模扼流圈；双绕组折叠PCB基板上的绕组通过第一端接结构进行级联，实现各PCB板上共模耦合电感匝数的串联；第二端接结构为共模耦合绕组的输入与输出端口，与外部变换器功率母线连接。多PCB垂直堆叠的级联结构有效解决了平面耦合共模电感在采用铁氧体磁芯时面临的小体积和高感值的矛盾。

本发明授权一种基于双绕组折叠PCB结构的EMI滤波器在权利要求书中公布了：1.一种基于双绕组折叠PCB结构的EMI滤波器，其特征在于，包括磁芯、共模耦合绕组和端接结构； 其中，所述磁芯采用罐形结构，磁芯的上下磁轭及中柱为实心圆柱，边柱由空心圆柱围成，边柱的端接部位开有窗结构，其余四周及与上下磁轭连接部位均为全封闭结构； 共模耦合绕组为采用具有FR4基板的PCB绕组结构，所述PCB绕组结构设置在上下磁轭之间及边柱的全封闭结构内，且中柱穿过所述PCB绕组结构的中心孔；承载PCB绕组的FR4基板同样设置在所述窗结构内； 所述PCB绕组结构包括若干垂直堆叠的双绕组折叠PCB结构，双绕组折叠PCB结构是将8字形双绕组沿对折线180°折叠形成垂直堆叠结构的平面共模扼流圈；结构中短接结构基于绕组的打有通孔的外延铜皮及T2紫铜柱实现，双绕组折叠PCB结构的第一端接结构将各PCB上的同一共模电感进行级联；第二端接结构则为共模耦合电感与外部变换器相连的输入与输出端口。

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