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龙图腾网恭喜盛合晶微半导体(江阴)有限公司申请的专利用于PoP封装的扇出型封装单元及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115360102B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-20发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211111718.9，技术领域涉及：H01L21/50；该发明授权用于PoP封装的扇出型封装单元及其制作方法是由陈彦亨;林正忠设计研发完成，并于2022-09-13向国家知识产权局提交的专利申请。

本用于PoP封装的扇出型封装单元及其制作方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种用于PoP封装的扇出型封装单元及其制作方法，该制作方法包括：形成第一重新布线层；于第一重新布线层的第一主面与半导体芯片之间形成混合键合结构，以将半导体芯片分别电性耦合至第一重新布线层的第一主面；于第一重新布线层的第一主面上形成塑封层以构成封装层，塑封层覆盖半导体芯片；于第一重新布线层的第二主面上形成第二重新布线层，第二重新布线层包括于第二重新布线层的第一主面显露的第二金属布线层，第二金属布线层与第一重新布线层的第二主面电性相连，所形成的扇出型封装单元使用全无机材质的第一重新布线层替代TSV转接板，降低了封装制造的成本，并优化了封装体积。

本发明授权用于PoP封装的扇出型封装单元及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种用于PoP封装的扇出型封装单元的制作方法，其特征在于，包括以下步骤： 提供一支撑衬底，于所述支撑衬底上形成第一重新布线层，所述第一重新布线层具有相对设置的第一主面和第二主面，形成第一重新布线层的步骤包括：于支撑衬底上形成图形化的第二无机介质层，于所述图形化的第二无机介质层形成嵌入的第一金属布线层，以及于第一金属布线层上形成图形化的第一无机介质层，以及，所述第一无机介质层的材料包括氮化硅和氮氧化硅中的一种，所述第二无机介质层的材料包括氧化硅； 于所述第一重新布线层的第一主面与半导体芯片之间形成混合键合结构，以将所述半导体芯片分别电性耦合至所述第一重新布线层的第一主面，所述混合键合结构包括于所述第一重新布线层的第一主面上形成的第一键合层； 于所述第一重新布线层的第一主面上形成塑封层以构成封装层，所述塑封层覆盖所述半导体芯片； 于所述第一重新布线层的第二主面上形成第二重新布线层，所述第二重新布线层具有相对设置的第一主面和第二主面，所述第二重新布线层包括于所述第二重新布线层的第一主面显露的第二金属布线层和包覆所述第二金属布线层的有机介质层，所述第二金属布线层与所述第一重新布线层的第二主面电性相连。

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