恭喜绍兴中芯集成电路制造股份有限公司王旭获国家专利权
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龙图腾网恭喜绍兴中芯集成电路制造股份有限公司申请的专利一种衬底上的布局结构及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115483192B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-20发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211195626.3，技术领域涉及：H01L23/544；该发明授权一种衬底上的布局结构及其制备方法是由王旭;朱晓彤;陈政设计研发完成，并于2022-09-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种衬底上的布局结构及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种衬底上的布局结构及其制备方法。该布局结构中，将用于晶体管器件的栅极材料同时形成在监控区内以用作第一垫层，抬高监控区的台面高度，使得监控区内的待检测膜层可以形成在较高的位置，进而可减小待检测膜层上方的凹槽深度，使得该凹槽容易被材料填满而不会形成内凹口，进而避免在内凹口内残留污染物而难以被去除。
本发明授权一种衬底上的布局结构及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种衬底上的布局结构，其特征在于，包括： 衬底，所述衬底具有器件区和监控区； 栅极材料层，形成在所述器件区内用于构成晶体管器件内的栅极，还形成在所述监控区的衬底上用于构成第一垫层； 第一介质材料层，形成在所述器件区内用于构成晶体管器件的场介质层，还形成在所述监控区内并覆盖所述第一垫层用于构成监控结构的待检测膜层；以及， 第二介质材料层，覆盖所述器件区和所述监控区，并在所述第二介质材料层位于器件区的部分中还形成有通孔，所述通孔用于填充孔场板，以及所述第二介质材料层位于监控区的部分中形成有凹槽，所述凹槽的底部暴露位于所述第一垫层上的待检测膜层。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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