恭喜西安奕斯伟材料科技有限公司;西安奕斯伟硅片技术有限公司潘浩获国家专利权
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龙图腾网恭喜西安奕斯伟材料科技有限公司;西安奕斯伟硅片技术有限公司申请的专利单晶硅棒生长方法及装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116005249B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-20发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211677268.X，技术领域涉及：C30B15/10；该发明授权单晶硅棒生长方法及装置是由潘浩;全铉国设计研发完成，并于2022-12-26向国家知识产权局提交的专利申请。
本单晶硅棒生长方法及装置在说明书摘要公布了：本发明提供了一种单晶硅棒生长方法及装置，属于半导体制造技术领域。单晶硅棒生长装置，包括：坩埚组件，包括石墨坩埚以及设置在所述石墨坩埚内的石英坩埚，所述石英坩埚用以盛放硅溶体；包围所述坩埚组件的超导体组件，所述超导体组件包括沿竖直方向设置的多个超导体，所述多个超导体相互独立；控制单元，与所述超导体组件连接，用于在单晶硅棒生长过程中，分别调整所述多个超导体的磁场强度。本发明的技术方案能够提高单晶硅棒的产品良率。
本发明授权单晶硅棒生长方法及装置在权利要求书中公布了：1.一种单晶硅棒生长装置，其特征在于，包括： 坩埚组件，包括石墨坩埚以及设置在所述石墨坩埚内的石英坩埚，所述石英坩埚用以盛放硅溶体； 包围所述坩埚组件的超导体组件，所述超导体组件包括沿竖直方向设置的多个超导体，所述多个超导体相互独立； 控制单元，与所述超导体组件连接，用于在单晶硅棒生长过程中，分别调整所述多个超导体的磁场强度； 与所述坩埚组件连接的升降机构，用于控制所述坩埚组件沿竖直方向移动； 所述超导体组件包括沿竖直方向从上到下依次设置的： 第一超导体、第二超导体和第三超导体； 所述升降机构具体用于在单晶硅棒生长过程中，移动所述坩埚组件，使得所述石英坩埚内的固液交界面位于所述第一超导体产生的磁场区域内。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人西安奕斯伟材料科技有限公司;西安奕斯伟硅片技术有限公司，其通讯地址为：710000 陕西省西安市高新区西沣南路1888号1-3-029室；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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