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龙图腾网恭喜吉林大学申请的专利一种具有AlGaN/InGaN超晶格势垒层的量子阱LED及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115995514B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-20发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310194705.0，技术领域涉及：H10H20/812；该发明授权一种具有AlGaN/InGaN超晶格势垒层的量子阱LED及其制备方法是由张源涛;关涛;邓高强;张立东;左长财设计研发完成，并于2023-03-03向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种具有AlGaN/InGaN超晶格势垒层的量子阱LED及其制备方法在说明书摘要公布了：一种具有AlGaNInGaN超晶格势垒层的量子阱LED及其制备方法，属于半导体发光器件技术领域。从下至上依次由衬底、成核层、n型GaN层、具有AlGaNInGaN超晶格势垒层的多量子阱有源层、电子阻挡层和p型GaN层组成，在p型层和n型层上分别设有上电极和下电极。电极由热蒸镀或电子束蒸发方法制备，其余各层通过金属有机物化学气相沉积MOCVD方法制备。本发明根据所需发光波长确定多量子阱中InGaN阱层的组分后，通过极化强度和禁带宽度的计算调控超晶格势垒层的组分，可以在保证势垒层禁带宽度大于阱层的条件下，减小阱层与势垒层的极化强度差值，从而降低量子阱中的极化电场强度，提高LED的发光性能。

本发明授权一种具有AlGaN/InGaN超晶格势垒层的量子阱LED及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种具有AlGaNInGaN超晶格势垒层的量子阱LED，其从下至上依次由衬底（1）、成核层（2）、n型GaN层（3）、具有AlGaNInGaN超晶格势垒层的多量子阱有源层（4）、电子阻挡层（5）和p型GaN层（6）组成，在p型GaN层（6）和n型GaN层（3）上分别制备有上电极（7）和下电极（8）；多量子阱有源层4为对数1~5的阱层势垒层结构，阱层为Iny1Ga1-y1N材料，其中0y11；势垒层为周期数5~10的AlxGa1-xNInyGa1-yN超晶格材料，其中0x1，0y1；x和y的取值，使势垒层与阱层的禁带宽度差值Δ的同时，减小阱层与势垒层的极化强度差值Δ，降低量子阱中的极化电场强度；其特征在于：该LED是基于氮极性III族氮化物材料的器件结构，在高温氮化处理的蓝宝石衬底上、碳面SiC衬底及氮面GaN衬底上外延生长可获得氮极性LED器件结构。

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