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龙图腾网恭喜河源市众拓光电科技有限公司申请的专利肖特基势垒二极管及其制备方法和应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116565030B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-20发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310546586.0，技术领域涉及：H10D8/60；该发明授权肖特基势垒二极管及其制备方法和应用是由李国强设计研发完成，并于2023-05-15向国家知识产权局提交的专利申请。

本肖特基势垒二极管及其制备方法和应用在说明书摘要公布了：本申请涉及一种肖特基势垒二极管及其制备方法和应用。该肖特基势垒二极管包括：衬底、在衬底上依次层叠设置的AlN成核层、GaN缓冲层、InGaN背势垒层、GaN沟道层和AlGaN势垒层；InGaN背势垒层中In的含量在远离衬底的方向上逐渐增加。上述肖特基势垒二极管中，In的含量在远离衬底的方向上逐渐增加的InGaN背势垒层可以有效地抑制GaN缓冲层短沟道效应，且该InGaN背势垒层对于GaN沟道层可以形成一个较高的背势垒，有利于提升二维电子气的局域性，能够抑制沟道中的二维电子向缓冲层的溢出，使得肖特基势垒二极管的电学性能具有较好的稳定性。

本发明授权肖特基势垒二极管及其制备方法和应用在权利要求书中公布了：1.一种肖特基势垒二极管，其特征在于，包括： 衬底、在所述衬底上依次层叠设置的AlN成核层、GaN缓冲层、InGaN背势垒层、GaN沟道层和AlGaN势垒层；所述InGaN背势垒层中In的含量在远离所述衬底的方向上逐渐增加； 钝化层，所述钝化层位于所述AlGaN势垒层的远离所述衬底的表面上； 阴极金属电极、阳极金属电极、上阳极金属场板和侧阳极金属场板； 所述阴极金属电极位于所述AlGaN势垒层的远离所述衬底的表面上； 所述上阳极金属场板位于所述钝化层远离所述衬底的表面上且与所述阴极金属电极间隔设置； 所述侧阳极金属场板位于所述上阳极金属场板的边缘处且贯穿所述上阳极金属场板、所述钝化层和所述AlGaN势垒层，所述侧阳极金属场板与所述GaN沟道层接触； 所述阳极金属电极贯穿所述上阳极金属场板、所述钝化层和所述AlGaN势垒层，所述阳极金属电极与所述GaN沟道层接触。

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