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龙图腾网恭喜北京齐碳科技有限公司申请的专利芯片流道结构、纳米孔测序装置及成膜方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116809133B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-20发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310635717.2，技术领域涉及：B01L3/00；该发明授权芯片流道结构、纳米孔测序装置及成膜方法是由郭明钊;冯昌喜;张悠纳;严勇;朱睿设计研发完成，并于2023-05-17向国家知识产权局提交的专利申请。

本芯片流道结构、纳米孔测序装置及成膜方法在说明书摘要公布了：本申请提供了一种芯片流道结构、纳米孔测序装置及成膜方法，沿通入物流通方向，所述芯片流道结构包括：顺次设置的第一过渡区、芯片入口区、芯片区、芯片出口区和第二过渡区；所述第一过渡区与所述芯片入口区呈角度设置，所述第二过渡区与所述芯片出口区呈角度设置；所述芯片区形成有凹陷的测序孔；所述芯片入口区和所述芯片出口区分别与所述芯片区形成大于90°的夹角。本发明能够保证在置换成膜的过程中，使得通入物的界面平移地扫过芯片区内的测序孔，以实现有效置换，从而保证各个测序孔中成膜位置的一致性，避免通入物在流经各个测序孔时因流序和流速的不同而导致的成膜差异，进而可以在较宽的流速范围内实现多相流体的均匀流动和有效置换。

本发明授权芯片流道结构、纳米孔测序装置及成膜方法在权利要求书中公布了：1.一种芯片流道结构，其特征在于，沿通入物在所述芯片流道结构内的流通方向，所述芯片流道结构包括： 顺次设置的第一过渡区、芯片入口区、芯片区、芯片出口区和第二过渡区； 所述第一过渡区与所述芯片入口区呈角度设置，所述第二过渡区与所述芯片出口区呈角度设置； 所述芯片区形成有凹陷的测序孔； 所述芯片入口区和所述芯片出口区分别与所述芯片区形成大于90°的夹角； 所述第一过渡区、所述第二过渡区和所述芯片区彼此平行； 沿所述通入物的流通方向，所述第一过渡区包括顺次连通的第一直通区和渐扩区，所述渐扩区形成为与所述芯片入口区连通的扩口结构；沿所述通入物的流通方向，所述第二过渡区包括顺次连通的渐缩区和第二直通区，所述渐缩区形成为与所述芯片出口区连通的缩口结构； 所述渐扩区与所述第一直通区共面，所述渐缩区与所述第二直通区共面。

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