恭喜上海交通大学任国梁获国家专利权
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龙图腾网恭喜上海交通大学申请的专利一种低热导萤石结构钽酸盐陶瓷及其制备方法和应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117209274B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-20发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311268932.X，技术领域涉及：C04B35/495；该发明授权一种低热导萤石结构钽酸盐陶瓷及其制备方法和应用是由任国梁;张翰超;郝巍;蔡黄越;单萧;杨帆;赵晓峰设计研发完成，并于2023-09-27向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种低热导萤石结构钽酸盐陶瓷及其制备方法和应用在说明书摘要公布了：本发明属于热障涂层技术领域，具体涉及一种低热导萤石结构钽酸盐陶瓷及其制备方法和应用。本发明提供的低热导萤石结构钽酸盐陶瓷具有缺陷萤石结构，化学式为Re1xRe2yDyzTaO7，其中，x+y+z＝3，且x、y、z独立为0.5～1.5，Re1和Re2独立为钇、钬、铒、铥或镱，在钽酸盐中引入Re‑O键能最小的Dy，与Ta‑O形成巨大的键能差异，引入其他两种稀土离子，构造质量差异以及键能无序，保证高温下晶体结构稳定的基础上，通过构建体系中不均匀的化学键，获得更低的热导率陶瓷体系，多元稀土共掺杂增大陶瓷体系熵值，提高钽酸盐陶瓷的高温稳定性，实现在高温下长时间服役。
本发明授权一种低热导萤石结构钽酸盐陶瓷及其制备方法和应用在权利要求书中公布了：1.一种低热导萤石结构钽酸盐陶瓷，其特征在于，其具有缺陷萤石结构，化学式为Re1xRe2yDyzTaO7，其中，x+y+z＝3，且x、y独立为0.5～1.5，0.88z1.32，Re1和Re2独立为钇、钬、铒、铥或镱； 所述低热导萤石结构钽酸盐陶瓷的X射线衍射峰的111面的2θ角为29.08～29.7°；所述低热导萤石结构钽酸盐陶瓷中Re1离子和Re2离子的半径差
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