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龙图腾网恭喜湖南大学申请的专利一种双变压器结构DAB变换器及单管容错方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119853472B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-20发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510330886.4，技术领域涉及：H02M3/335；该发明授权一种双变压器结构DAB变换器及单管容错方法是由彭星;肖凡;蒋毅;涂春鸣;肖威龙;周志;郭祺设计研发完成，并于2025-03-20向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种双变压器结构DAB变换器及单管容错方法在说明书摘要公布了：本申请提供一种双变压器结构DAB变换器，包括：输入侧桥臂组、变压器组与输出侧桥臂组，通过在输入侧桥臂组中增加一个辅助开关，实现了在故障发生时所有开关的容错运行，显著提高了系统的可靠性。该双变压器结构DAB变换器实现的单管容错方法，在容错模式下，电感电流应力较小，避免了过大的电流应力带来的额外传导损耗，同时减少了对半导体开关的进一步损坏。

本发明授权一种双变压器结构DAB变换器及单管容错方法在权利要求书中公布了：1.一种双变压器结构DAB变换器，其特征在于，包括：输入侧桥臂组、变压器组与输出侧桥臂组；所述输入侧桥臂组包括输入电容桥臂、主功率桥臂和副功率桥臂，输入电压V1的正负极分别依次连接所述输入电容桥臂和所述副功率桥臂的两端，其中，所述输入电容桥臂中包括串联的输入分裂滤波电容C1和输入分裂滤波电容C2，所述C1的负极和C2的正极相连形成的结点为C，所述主功率桥臂包括串联的MOSFETS7和S6，以及并联在S7两端的MOSFETS5，S5的源极、S6的源极和S7源极相连，且S5、S6和S7中含反并联二极管，S6的漏极连接于C1的负极和C2的正极连接处，副功率桥臂包括串联的MOSFETS1和S2，串联的MOSFETS3和S4，且S1、S2、S3和S4中均含反并联二极管，S1的源极、S2的漏极和S7的漏极相连形成的结点为A，S3的源极、S4的漏极和S5的漏极相连形成的结点为B；变压器组包括主功率变压器、副功率变压器、交流电感和隔直电容器，原边负极与隔直电容器的一端相连，隔直电容器的另一端与结点B相连，原边正极和原边正极分别与结点A相连，原边负极与结点C相连，副边正极与交流电感的一端相连，副边负极和副边正极相连；输出侧桥臂组包括两个串联的MOSFETQ1和Q2，两个串联的分裂滤波电容C3和C4，且Q1和Q2中均含反并联二极管，Q1的源极和Q2的漏极相连形成的结点为F，结点F与交流电感Lk的另一端相连，C3负极和C4正极相连形成的结点为G，结点G与Tr2副边负极相连，V2的正极分别与Q1漏极和C3正极相连，V2分别与Q2的源极和C4负极相连。

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