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龙图腾网恭喜度亘核芯光电技术(苏州)股份有限公司申请的专利半导体器件制备方法及半导体器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119890044B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-20发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510336746.8，技术领域涉及：H01L21/3205；该发明授权半导体器件制备方法及半导体器件是由佟金阳;姚中辉设计研发完成，并于2025-03-21向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体器件制备方法及半导体器件在说明书摘要公布了：本发明提供了一种半导体器件制备方法及半导体器件，涉及半导体器件制备的技术领域，本发明提供的一种半导体器件制备方法包括步骤：S10.提供一GaAs衬底；S20.利用第一处理液腐蚀GaAs衬底的第一表面，其中，第一处理液为H3PO4:H2O2:H2O=1:1:138‑2:1:50，以使所述第一表面形成凹凸结构；S30.在所述第一表面形成覆盖所述凹凸结构的SiNx层。

本发明授权半导体器件制备方法及半导体器件在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件制备方法，其特征在于，包括步骤：S10.提供一GaAs衬底（1）；S20.利用第一处理液腐蚀GaAs衬底（1）的第一表面，其中，第一处理液为H3PO4:H2O2:H2O=1:1:138-2:1:50，以使所述第一表面形成凹凸结构；S30.在所述第一表面形成覆盖所述凹凸结构的SiNx层（2）；还包括在步骤S30之后进行的步骤：S41.在所述第一表面形成欧姆接触层的第一金属层（3），其中，所述第一金属层（3）覆盖一部分SiNx层（2）；S42.在所述第一金属层（3）上形成光刻胶层（7），所述光刻胶层（7）上形成有贯穿其上下表面的窗口（8）；S43.形成厚金层（4），所述厚金层（4）的一部分覆盖光刻胶层（7），另一部分位于所述窗口（8）内；S43.在所述厚金层（4）上形成第二金属层（5）；S44.去除光刻胶层（7），以使光刻胶层（7）上方的部分厚金层（4）和部分第二金属层（5）被统一剥离，所述厚金层（4）和第二金属层（5）朝向所述GaAs衬底（1）的投影均位于所述SiNx层（2）之外。

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