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龙图腾网恭喜杭州谱析光晶半导体科技有限公司申请的专利一种提高双沟槽MOSFET元胞密度的工艺获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119866023B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-20发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510340959.8，技术领域涉及：H10D30/01；该发明授权一种提高双沟槽MOSFET元胞密度的工艺是由许一力;李鑫;刘倩倩设计研发完成，并于2025-03-21向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种提高双沟槽MOSFET元胞密度的工艺在说明书摘要公布了：本发明涉及MOS半导体技术领域，且公开了一种提高双沟槽MOSFET元胞密度的工艺，包括以下步骤：采用极紫外光刻技术在N衬底表面蚀刻形成凹槽；单个MOS元胞的沟槽内沉积两个栅极G1和一个栅极G0；在栅极G1与栅极G0之间，以及相邻MOS元胞的栅极G1之间通过离子注入形成P阱层、N阱层和P+层；并且在沟槽内部采用垂直于基板表面生长的多晶硅纳米线来作为栅极。本发明通过在沟槽内部署多个栅极可以帮助分散施加于沟道上的电场强度，减少局部区域的电场集中现象，从而提高器件的长期可靠性和稳定性，并且这种采用多栅极设计充分利用了沟槽的垂直空间，实现了更高的集成度，在不显著增加芯片面积的情况下提升了性能。

本发明授权一种提高双沟槽MOSFET元胞密度的工艺在权利要求书中公布了：1.一种提高双沟槽MOSFET元胞密度的工艺，其特征在于，包括以下步骤：S1、采用极紫外光刻技术在N衬底表面蚀刻形成凹槽；S2、单个MOS元胞的凹槽内沉积两个栅极G1和一个栅极G0，栅极G0位于两个栅极G1之间，并且栅极G0与两个栅极G1之间的间距相等，其中栅极G0与两个栅极G1之间形成双沟槽结构；S3、在栅极G1与栅极G0之间，以及相邻MOS元胞的栅极G1之间通过离子注入形成P阱层、N阱层和P+层；S4、并且在沟槽内部采用垂直于基板表面的多晶硅纳米线来作为栅极，其中多晶硅纳米线位于MOS元胞的一侧与栅极G1和栅极G0均垂直连接；S5、在完成双沟槽结构并进行表面钝化处理后，再对MOSFET器件的电气性能进行检测。

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