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龙图腾网恭喜华中科技大学申请的专利一种基于忆阻器的布尔逻辑电路、控制方法及布尔逻辑运算装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119892062B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-20发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510361062.3，技术领域涉及：H03K19/21；该发明授权一种基于忆阻器的布尔逻辑电路、控制方法及布尔逻辑运算装置是由王兴晟;甘周超;程放;缪向水设计研发完成，并于2025-03-26向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种基于忆阻器的布尔逻辑电路、控制方法及布尔逻辑运算装置在说明书摘要公布了：本发明公开了一种基于忆阻器的布尔逻辑电路、控制方法及布尔逻辑运算装置，属于微电子器件技术领域；布尔逻辑电路包括忆阻器M1、忆阻器M2、第一NMOS管、第二NMOS管、电阻和电压比较器；通过在T1控制端和T2控制端分别施加电压Vr，在第一晶体管的栅极施加逻辑值a所对应的栅极电压，在第二晶体管的栅极施加逻辑值c所对应的栅极电压，将T3控制端接地，即可在电压比较器的输出端得到对应的布尔逻辑运算结果。本发明充分利用了忆阻器的阻态特性和晶体管的开关特性，通过设置逻辑值a、b、c、d的取值，能够以较少的操作步骤实现任意布尔逻辑运算，且支持完备布尔逻辑运算的实现。与此同时，本发明易于级联，具有并行计算优势。

本发明授权一种基于忆阻器的布尔逻辑电路、控制方法及布尔逻辑运算装置在权利要求书中公布了：1.一种基于忆阻器的布尔逻辑电路，其特征在于，包括：忆阻器M1、忆阻器M2、第一晶体管、第二晶体管、电阻和电压比较器；忆阻器M1和忆阻器M2相同；第一晶体管和第二晶体管相同，且均为NMOS管；电阻的阻值为忆阻器的低阻态电阻值；忆阻器M1的正极作为T1控制端，负极与第一晶体管的源极相连；忆阻器M2的正极作为T2控制端，负极与第二晶体管的源极相连；第一晶体管和第二晶体管的漏极均与电阻的一端相连，电阻的另一端作为T3控制端；电压比较器的正端连接忆阻器M1、忆阻器M2和电阻的公共节点；当进行布尔逻辑运算时，忆阻器M1用于存储逻辑值b；电压比较器的负端用于接入参考电压Vref；忆阻器M2用于存储逻辑值d；T1控制端和T2控制端分别用于接入电压Vr；第一晶体管的栅极用于接入逻辑值a所对应的栅极电压；第二晶体管的栅极用于接入逻辑值c所对应的栅极电压；T3控制端用于接地；电压比较器的输出端用于输出对应的布尔逻辑运算结果；其中，Vref和Vr满足：RH+RLVr2RH+RLVref2Vr3；RH和RL分别为忆阻器的高阻态阻值和低阻态阻值；逻辑值0所对应的栅极电压为小于晶体管开启电压的电压VG，逻辑值1所对应的栅极电压为大于或等于晶体管开启电压的电压VDD。

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