买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网恭喜四川启睿克科技有限公司申请的专利一种基于可调谐MEMS法珀腔芯片的应力调控方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116281843B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310306247.5，技术领域涉及：B81C1/00；该发明授权一种基于可调谐MEMS法珀腔芯片的应力调控方法是由刘浩;闫晓剑;张国宏;陈宫傣;赵浩宇设计研发完成，并于2023-03-27向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种基于可调谐MEMS法珀腔芯片的应力调控方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种基于可调谐MEMS法珀腔芯片的应力调控方法，通过对可调谐MEMS法珀芯片关键结构进行应力调控并耦合，然后利用双面镀膜与单面镀膜相结合的工艺方式进行正式制备，并持续监控背面薄膜应力变化，最后利用部分背面薄膜单面沉积来进行应力补偿。该方法可以彻底解决可调谐MEMS法珀腔芯片应力易失配的问题，提高可调谐MEMS法珀腔芯片的制程效率及制程良率，同时能够满足不同应用场景的可调谐范围，增大其商用价值。

本发明授权一种基于可调谐MEMS法珀腔芯片的应力调控方法在权利要求书中公布了：1.一种基于可调谐MEMS法珀腔芯片的应力调控方法，其特征在于，包括以下步骤： 步骤1：以双抛单晶Si作为衬底，通过热氧化工艺单面沉积SiO2过渡层下DBR复合膜层，形成耦合结构，并测试应力；所述步骤1中，通过热氧化工艺单面沉积200至400nm厚的SiO2薄膜，并通过LPCVD工艺在SiO2薄膜上依次沉积polySi3N4polySi3N4poly五层膜，形成下DBR复合膜层； 步骤2：以双抛单晶Si作为衬底，通过单面工艺沉积上DBR复合膜层并进行退火处理，测试其应力；所述步骤2中，通过LPCVD工艺单面依次沉积polySi3N4polySi3N4polySi3N4六层膜，形成上DBR复合膜层； 步骤3：以双抛单晶Si作为衬底，通过单面工艺沉积TEOS牺牲层上DBR复合膜层耦合结构并退火处理，测试其应力；所述步骤3中，通过PECVD工艺单面沉积1000至3000nm的TEOS牺牲层薄膜，并在TEOS牺牲层薄膜上采用步骤2的工艺参数依次沉积polySi3N4polySi3N4polySi3N4六层膜组成的上DBR复合膜层，形成耦合结构； 步骤4：采用薄膜应力仪对步骤2和步骤3的复合膜层及耦合结构进行应力测试，获得退火后的上DBR复合膜层应力σu-DBR以及退火后的TEOS牺牲层上DBR复合膜层耦合结构应力σTEOSDBR；σu-DBR为拉应力，数值范围符合可调谐使用范围；且耦合结构应力|σTEOSDBR|50MPa；满足此两种条件即为通过，不满足此两种条件则返回步骤2和步骤3中进行再优化，直到满足； 步骤5：根据步骤1调整好的薄膜参数在新的双抛单晶Si晶圆衬底上进行双面镀膜，完成镀膜后以晶圆背面为基准面测得薄膜应力值，记为σ1； 步骤6：根据步骤2、步骤3和步骤4调整好的薄膜参数在步骤5的基础上再进行薄膜沉积，其中TEOS薄膜采用PECVD正面沉积，上DBR复合膜层采用LPCVD双面沉积，沉积完成后进行退火处理； 步骤7：在步骤6中的晶圆背面依次沉积800至2000nm厚度的AL屏蔽膜，100至1000nm厚度的SiO2增透膜以及100至1000nm厚度的Si3N4增透膜。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人四川启睿克科技有限公司，其通讯地址为：610000 四川省成都市高新区天府四街199号1栋33层；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。