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龙图腾网恭喜扬州扬杰电子科技股份有限公司申请的专利减小开关损耗的SiC场效应晶体管获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN222996955U 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-17发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202422072742.7，技术领域涉及：H10D62/17；该实用新型减小开关损耗的SiC场效应晶体管是由王正;杨程;裘俊庆;王毅设计研发完成，并于2024-08-26向国家知识产权局提交的专利申请。

本减小开关损耗的SiC场效应晶体管在说明书摘要公布了：减小开关损耗的SiC场效应晶体管，涉及半导体技术领域。在平面栅SiCMOSFET器件中，栅源电容Cgs的其中一个组成部分是栅电极‑隔离介质层‑源电极三者组成的Cgs，而此处的Cgs大小取决于隔离介质层厚度，栅电极与源电极的耦合面积。本实用新型采用独特的隔离介质层布局，将SiCMOSFET器件中栅电极与源电极的耦合面积大幅降低，从而降低了栅源电容Cgs，提高器件的开关特性，降低开关损耗。

本实用新型减小开关损耗的SiC场效应晶体管在权利要求书中公布了：1.减小开关损耗的SiC场效应晶体管，其特征在于，包括从下而上依次设置的背面电极金属层（13）、背面欧姆接触合金层（12）、SiCSub层（1）、SiCDrift层（2）、栅氧化层（7）、Poly层（8）、隔离介质层（9）和正面电极金属层（11）； 所述SiCDrift层（2）内设有： JFET区（6），从所述SiCDrift层（2）的顶面向下延伸； Pwell区（3），从所述JFET区（6）的顶面向下延伸； NP区（4），从所述Pwell区（3）的顶面向下延伸； PP区（5），设置在NP源电极接触区NP区（4）的中部； 所述栅氧化层（7）的底面分别与JFET区（6）、Pwell区（3）和NP区（4）连接； 所述Poly层（8）设置在栅氧化层（7）的顶面； 所述隔离介质层（9）设置在Poly层（8）的顶面，并与所述NP区（4）连接； 所述欧姆接触合金层（10）设置在NP源电极接触区的JFET区（6）顶面，底部分别与所述NP区（4）和PP区（5）连接； N源电极接触区的所述正面电极金属层（11）底面与隔离介质层（9）的顶面连接；NP源电极接触区的所述正面电极金属层（11）底面分别与隔离介质层（9）和欧姆接触合金层（10）连接。

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