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龙图腾网恭喜宜矽源半导体南京有限公司申请的专利一种用于凹曲线带隙基准源的调温曲率补偿电路获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120010619B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510497091.2，技术领域涉及：G05F1/567；该发明授权一种用于凹曲线带隙基准源的调温曲率补偿电路是由胡洛阳;陈铭设计研发完成，并于2025-04-21向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种用于凹曲线带隙基准源的调温曲率补偿电路在说明书摘要公布了：本发明涉及集成电路设计领域，具体为一种用于凹曲线带隙基准源的调温曲率补偿电路，具体采用分段线性补偿方式，明确划分低温区间和高温区间，在低温区间，补偿电路使相关晶体管导通，产生负温度系数补偿电流，且该电流随温度变化呈现特定规律，能精准补偿低温时参考电压的变化；在高温区间同理。这种分段且精准的补偿方式，能更好地契合凹曲线带隙基准源在不同温度段的需求，提升整体温度补偿效果，能更好地保障系统在不同温度环境下的性能一致性，避免因参考电压波动导致的系统误差，提高整个系统的可靠性和精度。并且本发明的电路结构简单，无需额外修调电阻或开关，有效的节省了芯片面积。

本发明授权一种用于凹曲线带隙基准源的调温曲率补偿电路在权利要求书中公布了：1.一种用于凹曲线带隙基准源的调温曲率补偿电路，其特征在于：包括， 亚1V带隙基准源部分、调温曲率补偿电路部分以及参考电压输出部分，亚1V带隙基准源部分包括晶体管、运算放大器、电阻和三极管，用于输出具有温度系数的基础参考电流Iref，再与参考电压输出部分的输出电阻ROUT相乘生成基础参考电压Vref； 调温曲率补偿电路部分分为低温区温度补偿模块和高温区温度补偿模块，由增强型PMOS管和增强型NMOS管构成，通过不同的连接方式和宽长比的大小实现电流的镜像、减法操作，在不同温度范围产生合适的低温补偿电流A3INTC或高温补偿电流B3IPTC；再与参考电压输出部分的电阻RC相乘生成低温补偿电压VNTC或高温补偿电压VPTC，减小参考电压随温度的漂移，生成与温度无关的补偿参考电压Vref1； 亚1V带隙基准源部分包括运算放大器OP1、运算放大器OP2、PNP型三极管Q1、PNP型三极管Q2、电阻R1、电阻R2、增强型PMOS管M1、增强型PMOS管M2、增强型PMOS管M3；所述增强型PMOS管M1、增强型PMOS管M2和增强型PMOS管M3的源极均接电源VDD，所述增强型PMOS管M1的栅极和运算放大器OP2的输出端相连，所述增强型PMOS管M2的栅极、增强型PMOS管M3的栅极和运算放大器OP1的输出端相连，所述增强型PMOS管M1的漏极、运算放大器OP2的同相输入端和电阻R2的一端相连，所述增强型PMOS管M2的漏极、运算放大器OP1的反相输入端、运算放大器OP2的反相输入端和PNP型三极管Q1的发射极相连，所述增强型PMOS管M3的漏极、运算放大器OP1的同相输入端和电阻R1的一端相连，电阻R1的另一端和PNP型三极管Q2的发射极相连，电阻R2的另一端、PNP型三极管Q1的基极和集电极、PNP型三极管Q2的基极和集电极均接地； 调温曲率补偿电路部分的低温区温度补偿电路包括增强型PMOS管MA1、增强型NMOS管MA2、增强型PMOS管MA3、增强型NMOS管MA4、增强型PMOS管MA5、增强型PMOS管MA6、增强型NMOS管MA7、增强型NMOS管MA8； 所述增强型PMOS管MA1、增强型PMOS管MA3、增强型PMOS管MA5和增强型PMOS管MA6的源极均接电源VDD，所述增强型PMOS管MA1的栅极与运算放大器OP2的输出端相连，所述增强型PMOS管MA3的栅极与运算放大器OP1的输出端相连，所述增强型PMOS管MA1的漏极、增强型NMOS管MA2的漏极和栅极、增强型NMOS管MA4的栅极相连，所述增强型PMOS管MA3的漏极、增强型NMOS管MA4的漏极、增强型PMOS管MA5的漏极和栅极、增强型PMOS管MA6的栅极相连，所述增强型PMOS管MA6的漏极、增强型NMOS管MA7的漏极和栅极、增强型NMOS管MA8的栅极相连，所述增强型NMOS管MA8的漏极与参考电压输出部分的电阻R3和电阻RC的连接点相连，所述增强型NMOS管MA2、增强型NMOS管MA4、增强型NMOS管MA7、增强型NMOS管MA8的源极均接地； 调温曲率补偿电路部分的高温区温度补偿电路包括增强型PMOS管MA9、增强型NMOS管MA10、增强型PMOS管MA11、增强型NMOS管MA12、增强型PMOS管MA13、增强型PMOS管MA14、增强型NMOS管MA15、增强型NMOS管MA16； 所述增强型PMOS管MA9、增强型PMOS管MA11、增强型PMOS管MA13和增强型PMOS管MA14的源极均接电源VDD，所述增强型PMOS管MA9的栅极与亚1V带隙基准源部分的运算放大器OP1的输出端相连，所述增强型PMOS管MA11的栅极与亚1V带隙基准源部分的运算放大器OP2的输出端相连，所述增强型PMOS管MA9的漏极、增强型NMOS管MA10的漏极和栅极、增强型NMOS管MA12的栅极相连，所述增强型PMOS管MA11的漏极、增强型NMOS管MA12的漏极、增强型PMOS管MA13的漏极和栅极、增强型PMOS管MA14的栅极相连，所述增强型PMOS管MA14的漏极、增强型NMOS管MA15的漏极和栅极、增强型NMOS管MA16的栅极相连，所述增强型NMOS管MA16的漏极与参考电压输出部分的电阻R3和电阻RC的连接点相连，所述增强型NMOS管MA10、增强型NMOS管MA12、增强型NMOS管MA15、增强型NMOS管MA16的源极均接地； 参考电压输出部分包括电阻R3、电阻RC、增强型PMOS管M4和增强型PMOS管M5；所述增强型PMOS管M4和增强型PMOS管M5的源极均接电源VDD，所述增强型PMOS管M4的栅极与亚1V带隙基准源部分的运算放大器OP1的输出端相连，所述增强型PMOS管M5的栅极与亚1V带隙基准源部分的运算放大器OP2的输出端相连，所述增强型PMOS管M4、增强型PMOS管M5的漏极和电阻R3的一端相连，此连接点为补偿参考电压Vref1输出点；所述电阻R3的另一端与电阻RC的一端相连，电阻RC的另一端接地，电阻R3和电阻RC串联共同构成了输出电阻ROUT，基础参考电流Iref流经输出电阻ROUT产生基础参考电压Vref，同时电阻RC还用于低温补偿电压VNTC或高温补偿电压VPTC的计算，共同决定最终输出的补偿参考电压Vref1。

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