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龙图腾网恭喜长鑫存储技术有限公司申请的专利放大器、尾电流稳定方法、输入接收器以及芯片获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN111181512B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201811330501.0，技术领域涉及：H03F3/45；该发明授权放大器、尾电流稳定方法、输入接收器以及芯片是由黄泽群设计研发完成，并于2018-11-09向国家知识产权局提交的专利申请。

本放大器、尾电流稳定方法、输入接收器以及芯片在说明书摘要公布了：本发明提供一种放大器、尾电流稳定方法、输入接收器以及芯片。放大器，包括第一晶体管、第二晶体管和温控单元，第一晶体管的栅极接入偏置电压，第一晶体管一端与输入对管的源极连接，另一端接地，第一晶体管用于产生第一尾电流；第二晶体管一端连接于第一晶体管和输入对管的源极连接线之间，第二晶体管的另一端接地，第二晶体管用于产生第二尾电流；温控单元与第二晶体管的栅极连接，温控单元用于根据检测的第一晶体管的温度，调节第二晶体管栅极接入的电压，使第一尾电流和第二尾电流之和保持恒定值。本发明通过调节第二尾电流，保持整体尾电流的稳定，从而减弱或消除了第一晶体管温度对尾电流的影响，使放大器电路的工作状态稳定在所需性能。

本发明授权放大器、尾电流稳定方法、输入接收器以及芯片在权利要求书中公布了：1.一种放大器，其特征在于，包括： 第一晶体管，所述第一晶体管的栅极接入偏置电压，所述第一晶体管一端与输入对管的源极连接，所述第一晶体管的另一端接地，所述第一晶体管用于产生第一尾电流，所述第一晶体管产生的所述第一尾电流会随温度的改变产生变化； 第二晶体管，所述第二晶体管一端连接于所述第一晶体管和所述输入对管的源极连接线之间，所述第二晶体管的另一端接地，所述第二晶体管用于产生第二尾电流； 温控单元，所述温控单元与所述第二晶体管的栅极连接，所述温控单元用于根据温度传感器检测的第一晶体管的温度，调节所述第二晶体管栅极接入的电压，使所述第一尾电流和所述第二尾电流之和保持恒定值； 其中，所述输入对管包含第一级输入对管和第二级输入对管，所述第一级输入对管和所述第二级输入对管均具有各自对应的所述第一晶体管和所述第二晶体管，所述第一级输入对管的源极和对应的所述第一晶体管之间串接有偏置晶体管，所述偏置晶体管的漏极与所述第二晶体管的漏极连接，所述偏置晶体管的栅极接入偏置电压；所述第二级输入对管与对应的所述第一晶体管之间未设置偏置晶体管。

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