恭喜西安奕斯伟硅片技术有限公司潘浩获国家专利权
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龙图腾网恭喜西安奕斯伟硅片技术有限公司申请的专利惰性气体的稳流调节方法、单晶硅的制造方法及单晶硅获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN110205675B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201910561681.1，技术领域涉及：C30B29/06；该发明授权惰性气体的稳流调节方法、单晶硅的制造方法及单晶硅是由潘浩;全铉国设计研发完成，并于2019-06-26向国家知识产权局提交的专利申请。
本惰性气体的稳流调节方法、单晶硅的制造方法及单晶硅在说明书摘要公布了：本发明提供一种惰性气体的稳流调节方法、单晶硅的制造方法及单晶硅，应用于拉晶炉，所述调节方法包括：从拉晶炉的副炉室向拉晶炉内通入惰性气体，调节通入所述拉晶炉的副炉室内的惰性气体的流向。根据本发明的稳流装置，可以约束惰性气体流动方向，降低单晶硅棒的摆动幅度，减少单晶生长位错现象发生的几率，避免不纯物对晶棒和热场部件侧壁造成污染和侵蚀。
本发明授权惰性气体的稳流调节方法、单晶硅的制造方法及单晶硅在权利要求书中公布了：1.一种惰性气体的稳流调节方法，其特征在于，应用于拉晶炉，所述调节方法包括： 从拉晶炉的副炉室向拉晶炉内通入惰性气体，通过第一稳流罩和第二稳流罩调节通入所述拉晶炉的副炉室内的惰性气体的流向； 其中，所述第一稳流罩和所述第二稳流罩安装在所述拉晶炉的副炉室内；所述第一稳流罩与所述第二稳流罩均为漏斗型；所述第一稳流罩的一端为宽口，另一端为窄口；所述第二稳流罩的一端为宽口，另一端为窄口；所述第一稳流罩的窄口端与所述第二稳流罩的窄口端相邻设置； 所述第一稳流罩与所述第二稳流罩通过间距调节机构相连，所述间距调节机构，用于调节第一稳流罩和第二稳流罩之间的距离以扩大稳流区间； 所述方法包括： 所述副炉室内的惰性气体从所述第一稳流罩的宽口端流入，窄口端流出，对所述惰性气体整流； 整流后的所述惰性气体从所述第二稳流罩的窄口端流进，宽口端流出，对整流后的所述惰性气流均匀的分流； 在气体整流与分流之间形成有稳流区间。
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