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龙图腾网恭喜泰科天润半导体科技(北京)有限公司申请的专利一种左右屏蔽沟槽栅碳化硅VDMOS及制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119855187B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510329136.5，技术领域涉及：H10D30/01；该发明授权一种左右屏蔽沟槽栅碳化硅VDMOS及制备方法是由何佳;陈彤;周海;胡臻设计研发完成，并于2025-03-20向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种左右屏蔽沟槽栅碳化硅VDMOS及制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种左右屏蔽沟槽栅碳化硅VDMOS及制备方法，所述方法包括：在碳化硅衬底下侧面淀积金属，形成漏极金属层；在碳化硅衬底上侧面外延生长，形成漂移层；在漂移层上方形成阻挡层，刻蚀，离子注入，形成P型源区、低阻区、P型阱区及N型源区；重新形成阻挡层，刻蚀，形成第一凹槽，淀积，形成绝缘介质层；重新形成阻挡层，刻蚀，淀积金属，形成第一栅极金属层以及第二栅极金属层；重新形成阻挡层，刻蚀，淀积金属，形成第一源极金属层；重新形成阻挡层，刻蚀阻挡层形成通孔，并刻蚀低阻区、P型源区以及N型源区，淀积金属，形成第二源极金属层，去除阻挡层，完成制备，通过对屏蔽栅结构的设计改进，降低了器件的导通电阻。

本发明授权一种左右屏蔽沟槽栅碳化硅VDMOS及制备方法在权利要求书中公布了：1.一种左右屏蔽沟槽栅碳化硅VDMOS的制备方法，其特征在于：包括如下步骤： 步骤1、在碳化硅衬底下侧面淀积金属，形成漏极金属层；在碳化硅衬底上侧面外延生长，形成漂移层； 步骤2、在漂移层上方形成阻挡层，刻蚀阻挡层形成通孔，离子注入，形成P型源区； 步骤3、去除原阻挡层，重新形成阻挡层，刻蚀阻挡层形成通孔，离子注入，形成低阻区； 步骤4、去除原阻挡层，重新形成阻挡层，刻蚀阻挡层形成通孔，离子注入，形成P型阱区； 步骤5、去除原阻挡层，重新形成阻挡层，刻蚀阻挡层形成通孔，离子注入，形成N型源区； 步骤6、去除原阻挡层，重新形成阻挡层，刻蚀阻挡层形成通孔，并刻蚀漂移层，形成第一凹槽，淀积，形成绝缘介质层； 步骤7、去除原阻挡层，重新形成阻挡层，刻蚀阻挡层形成通孔，并刻蚀绝缘介质层，形成第一沟槽以及第二沟槽，淀积金属，形成第一栅极金属层以及第二栅极金属层； 步骤8、去除原阻挡层，重新形成阻挡层，刻蚀阻挡层形成通孔，并刻蚀绝缘介质层，形成第三沟槽，淀积金属，形成第一源极金属层； 步骤9、去除原阻挡层，重新形成阻挡层，刻蚀阻挡层形成通孔，并刻蚀低阻区、P型源区以及N型源区，淀积金属，形成第二源极金属层，去除阻挡层，完成制备。

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