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龙图腾网恭喜泰科天润半导体科技(北京)有限公司申请的专利一种抗浪涌电压的平面栅碳化硅VDMOS及制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119855186B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510329135.0，技术领域涉及：H10D30/01；该发明授权一种抗浪涌电压的平面栅碳化硅VDMOS及制备方法是由何佳;陈彤;周海;胡臻设计研发完成，并于2025-03-20向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种抗浪涌电压的平面栅碳化硅VDMOS及制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种抗浪涌电压的平面栅碳化硅VDMOS及制备方法，所述方法包括：在碳化硅衬底下侧面淀积金属，形成漏极金属层；在碳化硅衬底上侧面外延生长，形成漂移层；在漂移层上形成阻挡层，刻蚀，离子注入，形成保护区、均流区、第二P型阱区、肖特基区、第一P型阱区以及凸起部；重新形成阻挡层，刻蚀，离子注入，形成N型源区；重新形成阻挡层，刻蚀，淀积，形成绝缘介质层；重新形成阻挡层，刻蚀，淀积金属，形成栅极金属层；重新形成阻挡层，刻蚀，淀积金属，形成源极金属层，去除阻挡层，完成制备，实现了提高器件可靠性，降低器件导通损耗，并提高了抗浪涌电压的能力。

本发明授权一种抗浪涌电压的平面栅碳化硅VDMOS及制备方法在权利要求书中公布了：1.一种抗浪涌电压的平面栅碳化硅VDMOS的制备方法，其特征在于：包括如下步骤： 步骤1、在碳化硅衬底下侧面淀积金属，形成漏极金属层；在碳化硅衬底上侧面外延生长，形成漂移层； 步骤2、在漂移层上形成阻挡层，刻蚀阻挡层形成通孔，离子注入，形成保护区； 步骤3、去除步骤2的阻挡层，重新形成阻挡层，刻蚀阻挡层形成通孔，离子注入，形成均流区； 步骤4、去除步骤3的阻挡层，重新形成阻挡层，刻蚀阻挡层形成通孔，离子注入，形成第二P型阱区； 步骤5、去除步骤4的阻挡层，重新形成阻挡层，刻蚀阻挡层形成通孔，离子注入，形成肖特基区； 步骤6、去除步骤5的阻挡层，重新形成阻挡层，刻蚀阻挡层形成通孔，离子注入，形成第一P型阱区以及凸起部； 步骤7、去除步骤6的阻挡层，重新形成阻挡层，刻蚀阻挡层形成通孔，离子注入，形成N型源区； 步骤8、去除步骤7的阻挡层，重新形成阻挡层，刻蚀阻挡层形成通孔，淀积，形成绝缘介质层； 步骤9、去除步骤8的阻挡层，重新形成阻挡层，刻蚀阻挡层形成通孔，淀积金属，形成栅极金属层； 步骤10、去除步骤9的阻挡层，重新形成阻挡层，刻蚀阻挡层形成通孔，淀积金属，形成源极金属层，去除阻挡层，完成制备； 所述漂移层下侧面连接至所述碳化硅衬底上侧面；所述漂移层内设有保护区、均流区以及凸起部；所述保护区位于所述均流下方，且位于所述凸起部正下方，所述均流区不位于所述凸起部正下方； 所述第一P型阱区下侧面连接至所述漂移层上侧面，所述第一P型阱区内侧面连接至所述凸起部外侧面；所述第一P型阱区上设有N型源区； 所述肖特基区下侧面连接至所述漂移层上侧面，所述肖特基区内侧面连接至所述第一P型阱区外侧面；所述肖特基区内设有第二P型阱区，所述第二P型阱区下部穿过所述漂移层连接至均流区上侧面； 所述绝缘介质层下侧面分别连接所述凸起部上侧面、第一P型阱区以及N型源区； 所述栅极金属层连接至所述绝缘介质层； 所述源极金属层下侧面分别连接所述N型源区上侧面、第一P型阱区上侧面、第二P型阱区上侧面以及肖特基区上侧面。

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