恭喜世界先进积体电路股份有限公司陈志谚获国家专利权
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龙图腾网恭喜世界先进积体电路股份有限公司申请的专利半导体结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113224010B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010069839.6，技术领域涉及：H01L23/29；该发明授权半导体结构是由陈志谚;蔡信锠;吴俊仪;黄嘉庆;萧智仁;张维展;法兰斯沃·艾贝尔设计研发完成，并于2020-01-21向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构在说明书摘要公布了：本发明提供一种半导体结构，包含基板、化合物半导体层、栅极结构、源极结构及漏极结构以及导电胶。化合物半导体层设置于基板上。栅极结构设置于化合物半导体层上。源极结构及漏极结构设置于栅极结构的两侧。并且，导电胶设置于基板以及引线框架之间，且导电胶延伸于基板的侧表面上。
本发明授权半导体结构在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，其特征在于，包括：一基板，包括一衬底、一埋置氧化层与一晶种层，且所述埋置氧化层设置于所述衬底以及所述晶种层之间；一化合物半导体层，设置于所述基板上；一栅极结构，设置于所述化合物半导体层上；一源极结构及一漏极结构，设置于所述栅极结构的两侧；以及一导电胶，设置于所述基板以及一引线框架之间，且所述导电胶延伸于所述基板的一侧表面，所述导电胶与所述引线框架以及所述基板接触，所述晶种层通过所述导电胶与所述引线框架电性连接，且所述引线框架为电性接地。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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