恭喜佛山市国星半导体技术有限公司崔永进获国家专利权
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龙图腾网恭喜佛山市国星半导体技术有限公司申请的专利易于焊接的倒装Mini/Micro-LED芯片及其制备方法、封装方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112242477B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011116185.4，技术领域涉及：H10H20/857；该发明授权易于焊接的倒装Mini/Micro-LED芯片及其制备方法、封装方法是由崔永进;仇美懿设计研发完成，并于2020-10-19向国家知识产权局提交的专利申请。
本易于焊接的倒装Mini/Micro-LED芯片及其制备方法、封装方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种易于焊接的倒装MiniMicro‑LED芯片及其制备方法、封装方法，所述芯片包括衬底、设于衬底上的发光结构、设于发光结构上的电极、以及设于电极上的焊接层。本发明的MiniMicro‑LED芯片易于焊接封装，封装效率高、良率高、成本低。
本发明授权易于焊接的倒装Mini/Micro-LED芯片及其制备方法、封装方法在权利要求书中公布了：1.易于焊接的倒装MiniMicro-LED芯片，其特征在于，包括衬底、设于衬底上的发光结构、设于发光结构上的电极、以及设于电极上的焊接层；所述焊接层包括焊料层、设于焊料层上的助焊层、以及设于焊料层和助焊层上并将助焊层包裹的保护层；其中，所述焊料层的材料选自锡铅焊料、银焊料、铜焊料和纯锡焊料中的一种或几种；所述助焊层由助焊剂制成，所述助焊剂的粘度为200~600kcps，回焊后的残留物小于50%；焊接时所述助焊层与基板上的金属形成含碳化合物，所述助焊层的厚度为2~20μm；所述保护层的材料选自聚乙烯、乙烯-四氟乙烯和蜡中的一种；所述保护层的材料在高温时会瞬间缩成小分子状态，不影响焊接；所述保护层的厚度为1~10μm。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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