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龙图腾网恭喜中兴光电子技术有限公司申请的专利激光器的制作方法及激光器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114512894B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011158751.8，技术领域涉及：H01S5/12；该发明授权激光器的制作方法及激光器是由邓秋芳设计研发完成，并于2020-10-26向国家知识产权局提交的专利申请。

本激光器的制作方法及激光器在说明书摘要公布了：本发明实施例公开一种激光器的制作方法及激光器，制作方法包括：在衬底上依次划分第一分布式反馈DFB区域、调谐区域和第二DFB区域；分别在第一DFB区域和第二DFB区域上制备选区介质掩膜条对，或者在调谐区域上制备选区介质掩膜条对；在制备有选区介质掩膜条对的第一DFB区域、调谐区域和制备有选区介质掩膜条对的第二DFB区域，或者在第一DFB区域、制备有选区介质掩膜条对的调谐区域和第二DFB区域依次外延生长下分别限制层、多量子阱层以及上分别限制层，以使调谐区域的多量子阱层的组分分别偏离第一DFB区域和第二DFB区域的多量子阱层的组分；去掉选区介质掩膜条对；通过该制作方法所制作的激光器可靠性高并能够增大激光器波长调谐范围。

本发明授权激光器的制作方法及激光器在权利要求书中公布了：1.一种激光器的制作方法，包括：在衬底上依次划分第一DFB区域、调谐区域和第二DFB区域；分别在所述第一DFB区域和所述第二DFB区域上制备选区介质掩膜条对；在制备有所述选区介质掩膜条对的第一DFB区域、所述调谐区域和制备有所述选区介质掩膜条对的第二DFB区域依次外延生长下分别限制层、多量子阱层以及上分别限制层，以使所述调谐区域的多量子阱层的组分分别偏离所述第一DFB区域和所述第二DFB区域的多量子阱层的组分；去掉所述选区介质掩膜条对;其中，所述分别在所述第一DFB区域和所述第二DFB区域上制备选区介质掩膜条对，包括：在所述第一DFB区域制备第一选区介质掩膜条对，所述第一选区介质掩膜条对制备有沿第一方向依次设置的第一选区介质掩膜条和第二选区介质掩膜条；在所述第二DFB区域制备第二选区介质掩膜条对，所述第二选区介质掩膜条对制备有沿第一方向依次设置的第三选区介质掩膜条和第四选区介质掩膜条；将所述第一选区介质掩膜条、所述第二选区介质掩膜条、所述第三选区介质掩膜条以及所述第四选区介质掩膜条靠近所述调谐区域的一端制备为逐渐收窄的形状。

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