恭喜中芯北方集成电路制造(北京)有限公司蔡巧明获国家专利权
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龙图腾网恭喜中芯北方集成电路制造(北京)有限公司申请的专利半导体结构及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114597206B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011392467.7，技术领域涉及：H10D84/85；该发明授权半导体结构及其形成方法是由蔡巧明;马丽莎设计研发完成，并于2020-12-02向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构及其形成方法在说明书摘要公布了：一种半导体结构及其形成方法，半导体结构包括：基底，包括用于形成第一器件的第一器件区和用于形成第二器件的第二器件区，第一器件的沟道长度大于第二器件的沟道长度；多晶硅栅极层，位于第一器件区的基底上，包括底部栅极层和凸出于底部栅极层的顶部栅极层，顶部栅极层和底部栅极层围成凹槽，顶部栅极层和底部栅极层中均掺杂有导电离子；金属栅极层，位于第二器件区的基底上；层间介质层，位于多晶硅栅极层和金属栅极层侧部的基底上并填充于凹槽中。本发明通过顶部栅极层，改善多晶硅栅极层的顶面凹陷问题，且通过使顶部栅极层和底部栅极层中均掺杂有导电离子，以减小多晶硅栅极层的栅极电阻，综上，多晶硅栅极层的性能得到提升。
本发明授权半导体结构及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，其特征在于，包括：基底，包括用于形成第一器件的第一器件区和用于形成第二器件的第二器件区，所述第一器件的沟道长度大于所述第二器件的沟道长度；多晶硅栅极层，位于所述第一器件区的基底上，所述多晶硅栅极层包括底部栅极层、以及凸出于所述底部栅极层的顶部栅极层，所述顶部栅极层和底部栅极层围成凹槽，且所述顶部栅极层和底部栅极层中均掺杂有导电离子；金属栅极层，位于所述第二器件区的基底上；层间介质层，位于所述多晶硅栅极层和金属栅极层侧部的基底上，并填充于所述凹槽中。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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