恭喜华为技术有限公司何亮获国家专利权
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龙图腾网恭喜华为技术有限公司申请的专利存储器件及制备方法、读写方法、存储芯片、电子设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114695650B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011631814.7，技术领域涉及：H10B61/00；该发明授权存储器件及制备方法、读写方法、存储芯片、电子设备是由何亮;闫鑫;赵亚飞;宁纪爱;赵俊峰;唐文涛设计研发完成，并于2020-12-31向国家知识产权局提交的专利申请。
本存储器件及制备方法、读写方法、存储芯片、电子设备在说明书摘要公布了：本申请实施例提供一种存储器件及制备方法、读写方法、存储芯片、电子设备，涉及存储技术领域，用于解决自旋轨道力矩‑磁性随机存储器存储态增多，存储态变化区间不变的问题。存储器件，包括：依次层叠设置的第一磁性隧道结、自旋轨道耦合层以及第二磁性隧道结。第一磁性隧道结包括第一自由层，第二磁性隧道结包括第二自由层。第一自由层和第二自由层设置在自旋轨道耦合层相对的两个表面上。
本发明授权存储器件及制备方法、读写方法、存储芯片、电子设备在权利要求书中公布了：1.一种存储器件，其特征在于，包括：依次层叠设置的第一磁性隧道结、自旋轨道耦合层以及第二磁性隧道结；所述第一磁性隧道结包括第一自由层，所述第二磁性隧道结包括第二自由层；所述第一自由层和所述第二自由层设置在所述自旋轨道耦合层相对的两个表面上；所述第一自由层具有朝向或背离所述自旋轨道耦合层的磁化方向，所述第二自由层具有朝向或背离所述自旋轨道耦合层的磁化方向；在所述第一自由层的磁化方向朝向所述自旋轨道耦合层、在所述第二自由层的磁化方向朝向所述自旋轨道耦合层时，所述存储器件处于低阻态；在所述第一自由层的磁化方向朝向所述自旋轨道耦合层、在所述第二自由层的磁化方向背离所述自旋轨道耦合层时，或者，在所述第一自由层的磁化方向背离所述自旋轨道耦合层、在所述第二自由层的磁化方向朝向所述自旋轨道耦合层时，所述存储器件处于中阻态；在所述第一自由层的磁化方向背离所述自旋轨道耦合层、在所述第二自由层的磁化方向背离所述自旋轨道耦合层时，所述存储器件处于高阻态。
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