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龙图腾网恭喜台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利形成半导体结构的方法和半导体结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113206041B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110061118.5，技术领域涉及：H10D86/01；该发明授权形成半导体结构的方法和半导体结构是由辛格·古尔巴格;王柏仁;庄坤苍设计研发完成，并于2021-01-18向国家知识产权局提交的专利申请。

本形成半导体结构的方法和半导体结构在说明书摘要公布了：一种形成半导体结构的方法和半导体结构。形成包括具有不同的厚度的多个基体区域的多个绝缘体上半导体SOI场效晶体管可经由选择性地减薄顶部半导体层的一区域且同时避免减薄顶部半导体层的一附加的区域。可使用氧化制程或蚀刻制程，以减薄顶部半导体层的此区域，并且可使用图案化的氧化阻障遮罩或蚀刻遮罩，以预防顶部半导体层的所述附加的部分的氧化或蚀刻。在选择性减薄制程步骤之前或之后可形成多个浅沟槽隔离结构。形成具有不同的耗尽区域配置的多个场效晶体管可使用顶部半导体层的多个图案化的部分的多种厚度。例如，可提供部分耗尽的SOI场效晶体管和完全耗尽的SOI场效晶体管。

本发明授权形成半导体结构的方法和半导体结构在权利要求书中公布了：1.一种形成一半导体结构的方法，其特征在于，包含：提供一绝缘体上半导体基板，其包括一处理基板、一绝缘层、和一顶部半导体层；利用至少一个第一扩散阻障层覆盖该顶部半导体层的一第一区域，并且物理性暴露该顶部半导体层的一第二区域；减薄该顶部半导体层的该第二区域，经由执行一氧化制程其氧化该顶部半导体层的该第二区域的一表面部分，同时该至少一个第一扩散阻障层阻碍该顶部半导体层的该第一区域的氧化；形成一平坦化终止介电层其在该至少一个第一扩散阻障层上方和在一半导体氧化物部分上方，该半导体氧化物经由该顶部半导体层的该第二区域的该表面部分的氧化而形成，在减薄该顶部半导体层的该第二区域之后；形成多个浅沟槽其穿过该顶部半导体层，其中该顶部半导体层被划分为多个分离的部分其包含：从该顶部半导体层的该第一区域图案化的一第一基体区域、和从该顶部半导体层的该第二区域图案化的一第二基体区域，其中所述多个浅沟槽穿过该平坦化终止介电层；形成一浅沟槽隔离结构，经由利用一介电填充材料填充所述多个浅沟槽并且凹陷化该介电填充材料的多个的部分；以及形成一第一绝缘体上半导体场效晶体管其包括该第一基体区域、和一第二绝缘体上半导体场效晶体管其包括该第二基体区域。

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