恭喜台湾积体电路制造股份有限公司林基富获国家专利权
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龙图腾网恭喜台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利半导体装置及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113571576B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110461917.1，技术领域涉及：H10D10/60；该发明授权半导体装置及其形成方法是由林基富;陈钲欣;徐明义;黄坤铭;郭建利设计研发完成，并于2021-04-27向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体装置及其形成方法在说明书摘要公布了：半导体装置包括在衬底中形成的至第一深度和第一宽度的第一阱以及在衬底中形成的至第二深度和第二宽度的第二阱。在第二阱中形成第一阱，第一深度大于第二深度，并且第二宽度大于第一宽度。在第二阱中形成源极区域，并且在衬底中形成漏极区域。本申请的实施例还涉及形成半导体装置的方法。
本发明授权半导体装置及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种形成半导体装置（100）的方法，包括：在衬底（102）中形成至第一深度（d1）和第一宽度（W1）的第一阱（124）；以及在所述衬底中形成至第二深度（d4）和第二宽度（W2）的第二阱（134），其中：所述第二阱围绕所述第一阱，所述第一深度大于所述第二深度，以及所述第二宽度大于所述第一宽度；在所述第二阱中形成第一导电区域，其中：所述第一导电区域形成回路，以及所述第一阱设置在所述回路的外周界的外部。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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