恭喜天津大学李立强获国家专利权
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龙图腾网恭喜天津大学申请的专利一种有机场效应晶体管获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114420843B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210069897.8，技术领域涉及：H10K10/46；该发明授权一种有机场效应晶体管是由李立强;戚建楠;陈小松;胡文平设计研发完成，并于2021-09-23向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种有机场效应晶体管在说明书摘要公布了：本发明涉及有机半导体技术领域，公开了一种有机场效应晶体管，包括栅极、源极、漏极、介电层和有机半导体层；其中，所述有机半导体层包括纳米粒子，所述纳米粒子在有机半导体层中分布均匀且不连续，所述纳米粒子体积占有机半导体层体积的0.1‑3％。本发明在有机半导体层的有机半导体薄膜表面或薄膜内部引入微量的纳米粒子，纳米粒子均匀且不连续，不会影响有机半导体薄膜本身的电学性能。有机半导体薄膜的晶界、位错、层错以及表面等被纳米粒子钉扎，导致有机半导体薄膜聚集态结构变化的势垒增加，从而增强其聚集态稳定性，进而大幅增加有机场效应晶体管的最高工作温度以及储存寿命。
本发明授权一种有机场效应晶体管在权利要求书中公布了：1.一种有机场效应晶体管，其特征在于，包括栅极、源极、漏极、介电层和有机半导体层；其中，所述有机半导体层包括纳米粒子，所述纳米粒子在有机半导体层中分布均匀且不连续，所述纳米粒子体积占有机半导体层体积的0.1-3％；所述有机半导体层为有机半导体薄膜，具体为多晶薄膜；所述纳米粒子直径为0.01nm-100nm，其热稳定性优于所述有机半导体薄膜。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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