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龙图腾网恭喜深圳技术大学申请的专利一种无离子注入抗辐照功率晶体管及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113851457B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111119958.9，技术领域涉及：H01L23/552；该发明授权一种无离子注入抗辐照功率晶体管及其制备方法是由赵珩;左旭民;卢剑豪;于洋;郭东鑫设计研发完成，并于2021-09-24向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种无离子注入抗辐照功率晶体管及其制备方法在说明书摘要公布了：一种无离子注入抗辐照功率晶体管及其制备方法，属于晶体管技术领域。通过在晶体管有源区先形成致密的薄氧化硅层，再在薄氧化硅层上形成高致密性抗辐照阻挡层，再在抗辐照阻挡层上形成低致密性抗辐照吸收层，将辐照大幅度衰减，使底层氧化硅层受辐射的影响大幅度降低，使薄氧化硅层受辐照产生的电子空穴对快速被扫出氧化层，在氧化层界面不能形成带正电的氧化物陷阱电荷，大幅降低硅衬底中杂质浓度的再分布，大大提高载流子的寿命和电流增益，减少反向漏电流及饱和压降，使晶体管的抗辐照能力得到明显的提高。解决了必须采用高能离子注入工艺才能制造出抗辐照功率晶体管且成本高昂的问题。广泛应用于半导体晶体管及半导体集成电路抗辐照领域。

本发明授权一种无离子注入抗辐照功率晶体管及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种无离子注入抗辐照功率晶体管，其特征在于，包括：N+硅衬底，浓基区，淡基区，发射区，浓硼环，厚二氧化硅层，薄二氧化硅层，发射极金属电极，基极金属电极，抗辐照阻挡层，抗辐照吸收层，背面金属化层；在所述N+硅衬底上表面为外延生长设定厚度的浓基区，在浓基区中部区域为高温扩散设定厚度的淡基区，在淡基区中部区域为高温扩散设定厚度的发射区，在淡基区的周边设有包围淡基区的浓硼环，在浓硼环的表面中部区域设有基极引线孔，在发射区的表面中部区域设有发射区引线孔，在基极引线孔的外围区域表面设有厚二氧化硅层，在基极引线孔与发射区引线孔之间的区域表面设有薄二氧化硅层，在发射区引线孔、基极引线孔上分别设有发射极金属电极、基极金属电极，分别形成发射区外引线键合区、基区外引线键合区，在厚二氧化硅层和薄二氧化硅层上设有抗辐照阻挡层，在抗辐照阻挡层上设有抗辐照吸收层，N+硅衬底的底面设有背面金属化层；所述厚二氧化硅层的厚度值为7000Å以上；所述薄二氧化硅层的厚度值为1000Å-2000Å；所述抗辐照阻挡层的厚度值为2000Å-2500Å；所述抗辐照吸收层的厚度值为4000Å-5000Å。

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