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龙图腾网恭喜杭州海康存储科技有限公司申请的专利一种最优读电压确定方法、装置及电子设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114566201B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210141259.2，技术领域涉及：G11C16/26；该发明授权一种最优读电压确定方法、装置及电子设备是由刘璨;霍文捷;万婷;冯星设计研发完成，并于2022-02-16向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种最优读电压确定方法、装置及电子设备在说明书摘要公布了：本申请实施例提供了一种最优读电压确定方法、装置及电子设备。其中，方法包括：获取用于表示存储块的目标读写状态的目标状态参数、存储块处于目标读写状态时第一最优读电压的取值对应的第一概率分布和第一最优读电压的第一电压值、以及存储块处于目标读写状态时第二最优读电压的取值对应的第二概率分布，第一电压值通过在存储块的阈值电压分布中搜索得到；根据目标状态参数、第一概率分布、第一电压值以及第二概率分布，预测存储块处于目标读写状态时第二最优读电压的第二电压值。应用本申请实施例提供的方案，能够通过预测确定最优读电压，有效减少确定最优读电压过程中所需进行的电压搜索操作、读操作的次数，提高最优读电压确定效率。

本发明授权一种最优读电压确定方法、装置及电子设备在权利要求书中公布了：1.一种最优读电压确定方法，其特征在于，所述方法包括：获取用于表示存储块的目标读写状态的目标状态参数、所述存储块处于所述目标读写状态时第一最优读电压的取值对应的第一概率分布和所述第一最优读电压的第一电压值、以及所述存储块处于所述目标读写状态时第二最优读电压的取值对应的第二概率分布；其中，所述第一电压值通过在所述存储块的阈值电压分布中搜索得到，所述第一最优读电压和第二最优读电压为用于划分不同存储状态各自对应的取值区间的读电压；所述目标状态参数包括以下状态参数中的一种或多种：用于表示写入擦除循环的状态参数、用于表示读干扰的状态参数、用于表示写干扰的状态参数、用于表示数据保质期的状态参数；根据所述目标状态参数、所述第一概率分布、所述第一电压值以及所述第二概率分布，预测所述存储块处于所述目标读写状态时所述第二最优读电压的第二电压值。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人杭州海康存储科技有限公司，其通讯地址为：310051 浙江省杭州市滨江区丹枫路399号2号楼B楼307室；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。