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龙图腾网恭喜深圳市华星光电半导体显示技术有限公司申请的专利阵列基板及显示面板获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114823735B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210494354.0，技术领域涉及：H10D86/60；该发明授权阵列基板及显示面板是由施佼佼;徐洪远;郭力;苏东明;张伟伟设计研发完成，并于2022-05-07向国家知识产权局提交的专利申请。

本阵列基板及显示面板在说明书摘要公布了：本申请提出了一种阵列基板及显示面板；该阵列基板包括多条数据线和多条扫描线，多条数据线与多条扫描线围成多个子像素单元，子像素单元包括衬底、设置衬底上的公共电极层和位于公共电极层一侧的有源层，有源层包括至少一个第一有源层和至少一个第二有源层，第一有源层位于阵列基板的薄膜晶体管内，至少一个第二有源层不位于所述公共电极层与所述数据线交叠的位置；本申请通过去除部分公共电极层来减少公共电极层与有源构件的正投影的交叠位置数量，进而减小因有源层自身厚度导致正负帧显示下的耦合电容不对称性，有效改善正负帧显示时因耦合电容难以抵消而导致的水平串扰问题。

本发明授权阵列基板及显示面板在权利要求书中公布了：1.一种阵列基板，其特征在于，包括多条数据线和多条扫描线，多条所述数据线与多条所述扫描线围成多个子像素单元；其中，所述子像素单元包括：衬底；公共电极层，设置在所述衬底上，在第一方向上，相邻的两个所述子像素单元的所述公共电极层之间设置有电极连接部，所述第一方向与所述扫描线的延伸方向平行，所述电极连接部靠近薄膜晶体管设置，所述公共电极层包括沿所述第一方向延伸的第一电极走线，所述第一电极走线靠近对应的所述薄膜晶体管设置，在所述第一方向上，相邻的两个所述公共电极的所述第一电极走线通过所述电极连接部连接；以及有源层，设置于所述公共电极层的一侧，所述有源层包括至少一个第一有源层和至少两第二有源层，所述第一有源层位于所述阵列基板的薄膜晶体管内，两所述第二有源层在所述衬底上的正投影均重叠于所述数据线在所述衬底上的正投影；其中一所述第二有源层在所述衬底上的正投影还重叠于对应的所述电极连接部在所述衬底上的正投影，剩余的每一所述第二有源层在所述衬底上的正投影均不重叠于所述公共电极层在所述衬底上的正投影。

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