恭喜四川科尔威光电科技有限公司聂振清获国家专利权
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龙图腾网恭喜四川科尔威光电科技有限公司申请的专利一种铁氧体基薄膜电路产品制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115116929B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210542571.2，技术领域涉及：H01L21/70；该发明授权一种铁氧体基薄膜电路产品制备方法是由聂振清;孙世刚;徐健设计研发完成，并于2022-05-18向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种铁氧体基薄膜电路产品制备方法在说明书摘要公布了：一种铁氧体基薄膜电路产品制备方法，涉及微波集成电路系统技术领域，解决了现有铁氧体基薄膜电路产品膜层附着力差的技术问题，包括铁氧体基板、过渡层、预制层、导体层、阻挡层、焊接层，本发明通过对基材的清洗可有效提升薄膜电路产品膜层间及膜层与基材间的附着力，同时简化生产工艺，缩短生产周期，通过预制层和各膜层间的活化处理有效提升薄膜电路产品膜层间的附着力，减少了光刻和膜层沉积次数，简化了生产工艺，缩短了生产周期。
本发明授权一种铁氧体基薄膜电路产品制备方法在权利要求书中公布了：1.一种铁氧体基薄膜电路产品制备方法，其特征在于，包括铁氧体基板、过渡层、预制层、导体层、阻挡层、焊接层，具体制备方法如下：步骤（1）、对铁氧体基板进行清洗，使用溶液对铁氧体基板进行超声、浸泡；步骤（2）、在铁氧体基板上制备过渡层和预制层，并对过渡层和预制层进行烘烤；步骤（3）、通过光刻工艺使得预制层表面非图形部分被光刻胶覆盖，对预制层表面进行活化处理后进行导体层沉积；步骤（4）、对导体层表面进行活化处理后进行阻挡层和焊接层沉积；步骤（5）、完成沉积后，去除预制层表面非图形部分的光刻胶，并对膜层进行烘烤处理；步骤（6）、对预制层表面非图形部分进行刻蚀，使得基板非图形部分绝缘；步骤（7）、对整片铁氧体基板进行切割，分成独立的薄膜电路产品，所述铁氧体基板切割方法包括机械切割、激光切割中的一种。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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