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龙图腾网恭喜友达光电股份有限公司申请的专利半导体装置及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115050762B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210864310.2，技术领域涉及：H10D86/60；该发明授权半导体装置及其制作方法是由杨谨嘉;陈文斌;陈祖伟设计研发完成，并于2022-07-21向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体装置及其制作方法在说明书摘要公布了：一种半导体装置及其制作方法，半导体装置包括：基板、第一晶体管以及第二晶体管。第一晶体管设置于基板之上，且包括第一金属氧化物半导体层。第二晶体管设置于基板之上，且包括第二金属氧化物半导体层及第三金属氧化物半导体层。第三金属氧化物半导体层直接叠置于第二金属氧化物半导体层上。第二金属氧化物半导体层与第一金属氧化物半导体层属于相同膜层。第一金属氧化物半导体层的氧浓度低于第二金属氧化物半导体层的氧浓度，且第二金属氧化物半导体层的氧浓度低于第三金属氧化物半导体层的氧浓度。

本发明授权半导体装置及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置，包括：一基板；一第一晶体管作为一驱动元件，设置于该基板之上，且该第一晶体管包括一第一金属氧化物半导体层、一第一栅极、一第一源极以及一第一漏极；以及一第二晶体管作为一开关元件，设置于该基板之上，且该第二晶体管包括一第二栅极、一第二源极、一第二漏极、一第二金属氧化物半导体层及一第三金属氧化物半导体层，其中该第二源极及该第二漏极接触于该第三金属氧化物半导体层且不接触于该第二金属氧化物半导体层，其中该第三金属氧化物半导体层直接叠置于该第二金属氧化物半导体层上，该第二金属氧化物半导体层与该第一金属氧化物半导体层属于相同膜层，且该第一金属氧化物半导体层的氧浓度低于该第二金属氧化物半导体层的氧浓度，该第二金属氧化物半导体层的氧浓度低于该第三金属氧化物半导体层的氧浓度，其中该第一金属氧化物半导体层的载子迁移率大于该第二金属氧化物半导体层的载子迁移率，该第三金属氧化物半导体层的化学稳定性高于该第一金属氧化物半导体层及该第二金属氧化物半导体层的化学稳定性，其中该第二晶体管的临界电压高于该第一晶体管的临界电压。

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