买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网恭喜南昌航空大学申请的专利一种VOCs吸附强度的预测方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115249519B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210897461.8，技术领域涉及：G16C20/50；该发明授权一种VOCs吸附强度的预测方法是由倪佳明;王善林;陈玉华;张体明;谢吉林;宋骁;申洋设计研发完成，并于2022-07-28向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种VOCs吸附强度的预测方法在说明书摘要公布了：本发明涉及吸附VOCs材料技术领域，具体涉及一种VOCs吸附强度的预测方法。本发明所述的预测方法无需通过复杂的试验过程，通过上述步骤的设定，可以准确比较单层MoS2或掺杂Fe原子单层MoS2对VOCs的吸附强度。

本发明授权一种VOCs吸附强度的预测方法在权利要求书中公布了：1.一种对VOCs吸附强度的预测方法，其特征在于，包括以下步骤：采用第一性原理，构建本征MoS2单层原胞模型、Fe掺杂MoS2单层超胞模型和VOCs分子原胞模型；采用第一性原理，对所述本征MoS2单层原胞模型、Fe掺杂MoS2单层超胞模型以及VOCs分子原胞模型进行几何优化，分别得到稳定态的本征MoS2单层原胞模型、稳定态的Fe掺杂MoS2单层超胞模型和稳定态的VOCs分子原胞模型；将所述稳定态的VOCs分子原胞模型分别添加到稳定态的本征MoS2单层原胞模型和稳定态的Fe掺杂MoS2单层超胞模型表面，分别得到吸附VOCs的本征MoS2单层原胞模型和吸附VOCs的Fe掺杂MoS2单层超胞模型；对所述吸附VOCs的本征MoS2单层原胞模型和吸附VOCs的Fe掺杂MoS2单层超胞模型进行几何优化，分别得到稳定态的吸附VOCs的本征MoS2单层原胞模型和稳定态的Fe掺杂MoS2单层超胞模型；通过广义梯度近似法计算稳定态的吸附VOCs的本征MoS2单层原胞模型和稳定态的吸附VOCs的Fe掺杂MoS2单层超胞模型的吸附能Ea；比较稳定态的吸附VOCs的本征MoS2单层原胞模型和稳定态的吸附VOCs的Fe掺杂MoS2单层超胞模型的吸附能Ea绝对值，吸附能Ea绝对值大的对应的模型，则说明该模型对VOCs分子的吸附强度高。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人南昌航空大学，其通讯地址为：330063 江西省南昌市丰和南大道696号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。