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恭喜合肥维信诺科技有限公司;昆山国显光电有限公司胡世文获国家专利权

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龙图腾网恭喜合肥维信诺科技有限公司;昆山国显光电有限公司申请的专利放射线平板探测器和放射线成像装置获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN115436986B

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-03发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202211063960.3,技术领域涉及:G01T1/161;该发明授权放射线平板探测器和放射线成像装置是由胡世文;邢汝博;任庆荣;钟昆璟;李俊峰设计研发完成,并于2022-08-31向国家知识产权局提交的专利申请。

放射线平板探测器和放射线成像装置在说明书摘要公布了:本申请公开了一种放射线平板探测器和放射线成像装置,放射线平板探测器器,其特征在于,包括衬底和形成于衬底上的多个复合像素单元,每个复合像素单元包括开关元件和转换组件,开关元件形成于衬底上;转换组件形成于开关元件背离衬底一侧,包括成像元件和检测元件,检测元件在衬底上的正投影与开关元件在衬底上的正投影至少部分交叠。本申请提供的放射线平板探测器,可实现简化设备连接与平板探测器性能的兼顾。

本发明授权放射线平板探测器和放射线成像装置在权利要求书中公布了:1.一种放射线平板探测器,其特征在于,包括衬底和形成于所述衬底上的多个复合像素单元,每个所述复合像素单元包括:开关元件,形成于所述衬底上;转换组件,形成于所述开关元件背离所述衬底一侧,包括成像元件和检测元件,所述检测元件在所述衬底上的正投影与所述开关元件在所述衬底上的正投影至少部分交叠;所述成像元件包括第一电极、第一光电转换层和第二电极,所述检测元件包括高电位导通的第一光感晶体管和电容;所述检测元件包括沿远离所述衬底方向层叠设置的源漏极层、半导体层、栅绝缘层、栅极层、第一绝缘层和电容层,所述第一电极与所述源漏极层同层设置,所述第二电极与所述电容层同层设置。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术,可联系本专利的申请人或专利权人合肥维信诺科技有限公司;昆山国显光电有限公司,其通讯地址为:230000 安徽省合肥市新站区魏武路与新蚌埠路交口西南角;或者联系龙图腾网官方客服,联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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