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龙图腾网恭喜安徽格恩半导体有限公司申请的专利一种多节的芯片结构及制作方法、电子设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115513193B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211107825.4，技术领域涉及：H01L25/075；该发明授权一种多节的芯片结构及制作方法、电子设备是由蔡鑫设计研发完成，并于2022-09-13向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种多节的芯片结构及制作方法、电子设备在说明书摘要公布了：本发明提出了一种多节的芯片结构及制作方法、电子设备，该结构至少包括两个独立的发光单元，发光单元之间存在隔离槽，相邻发光单元串联连接。在常规芯片结构的基础上，将反射层设置为凹凸结构，反射层的凸出区域与第一导电层形成电连接，反射层的凹陷区域中填充有第一绝缘层，第二导电层下表面为凹凸面，第二导电层下表面设置有间隔设置的第二绝缘层，第二绝缘层和第一绝缘层交错设置。本发明在常规的芯片结构基础上，对反射层和导电层结构进行优化，形成凹凸状结构，从而使得光线发生更多方向的反射和折射，提高光的提取效率。另外，图形化结构设计可以改变电流单一流向的方向，增加电流流通的路径，从而增加横向扩展，使热量分散的更均匀。

本发明授权一种多节的芯片结构及制作方法、电子设备在权利要求书中公布了：1.一种多节的芯片结构，包括至少两个发光单元，相邻的发光单元之间设置有隔离槽，每个发光单元均包括：第一半导体层、第二半导体层、位于所述第一半导体层和第二半导体层之间的有源层，每个发光单元还包括与第一半导体层形成欧姆接触的第一导电层、与所述第一导电层形成电连接反射层，与所述反射层形成电连接的第二导电层，贯穿所述第一半导体层及有源层，并延伸到第二半导体层内部的凹陷，与所述第一半导体层表面部分接触且部分暴露于所述第二半导体层外部的第一绝缘层、覆盖于所述凹陷侧壁及所述第二导电层一侧的第二绝缘层，部分接触于所述第二绝缘层表面并且与所述第二半导体层形成电连接的第三导电层，相邻的发光单元之间，第一发光单元中还包括与第二导电层形成电连接的第一电极，第二发光单元中靠近隔离槽一侧的第三导电层与第二导电层部分接触形成串联区域，所述第二发光单元中还包括与第二导电层电连接的第二电极，所述第一发光单元和第二发光单元下方均设置有与第三导电层表面接触的第三绝缘层，所述第二发光单元中，第三绝缘层在靠近串联区域一侧与第二绝缘层部分接触，所述第三绝缘层表面依次设置有键合层和基板，其特征在于，所述反射层为凹凸结构，所述反射层的凸出区域与第一导电层形成电连接，所述反射层的凹陷区域中填充有第一绝缘层，所述第二导电层下表面为凹凸面；所述串联区域中，第二导电层下表面设置有间隔设置的第二绝缘层，所述第二绝缘层的间隔区域内填充有第三导电层，所述第二绝缘层和第一绝缘层交错设置。

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